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TF1200-PECVD型 等离子增强化学气相沉积系统
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TF1200-PECVD型等离子增强化学气相沉积系统
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition) 等离子体增强化学气相沉积法
等离子增强化学气相沉积系统
设备介绍:
本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
产品简介:
此款设备配有Plasma实现等离子增强,滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置,可准确的控制反应腔体内部的气体压力,带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用,工艺重复性好,对于石墨烯生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
主要组成系统及特点:
本设备主要由管式加热炉体,真空系统,质子流量供气系统,射频等离子源,石英反应腔室等部件组成。
主要特点:
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、*性和稳定性高。
5、广泛应用于:各种薄膜的生长,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
开启式真空管式炉技术参数 | |||||
| 石英管尺寸 | L1400mm *(根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有Φ40,Φ60,Φ80,Φ100,Φ120,Φ150等规格可选。) | |||
加热元件 | 掺钼铁铬铝合金电阻丝 | ||||
测温元件 | K型热电偶 | ||||
加热区长度 | 400mm | ||||
恒温区长度 | 200mm | ||||
工作温度 | ≤1100℃ | ||||
控温模式 | 模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能 | ||||
控温精度 | ±1℃ | ||||
升温速率 | ≤20℃/min | ||||
电功率 | AC220V/50HZ/3KW | ||||
质量供气系统技术参数(根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路GQ-2Z,三路GQ-2Z,四路GQ-2Z,五路GQ-2Z或更多路供选择。) | |||||
| 外形尺寸 | 600x600x600mm | |||
标准量程 | 50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar、N2); | ||||
数显压力表测量范围 | -0.1Mpa~0.15Mpa | ||||
极限压力 | 3MPa | ||||
针阀 | 316不锈钢 | ||||
截止阀 | Φ6mm 316不锈钢针阀 | ||||
电功率 | AC220V/50HZ/20W | ||||
响应时间 | 气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec | ||||
准确度 | ±1.5% | ||||
线性 | ±0.5~1.5% | ||||
重复精度 | ±0.2% | ||||
接口 | Φ6,1/4'' | ||||
真空系统技术参数(根据需求选择不同真空效果的真空系统。有DZK10-1(极限真空0.1Pa),GZK10-3(极限真空0.001Pa),以及进口高真空机组(极限真空0.0001Pa)供选择。) | |||||
| 外型尺寸 | 600×600×600mm | |||
工作电电压 | 220V±10% 50~60HZ | ||||
功率 | 400W | ||||
抽气速率 | 4L\\s | ||||
极限真空 | 4X10-2Pa | ||||
实验真空度 | 1.0X10-1Pa | ||||
容油量 | 1.1L | ||||
进气口口径 | KF25 | ||||
排气口口径 | KF25 | ||||
转速 | 1450rpm | ||||
射频电源(根据需求选择强度不同的射频电源。有DLZ300(300W),DLZ500(500W)或更大功率的射频电源供选择) | |||||
| 信号频率 | 13.56 MHz±0.005% | |||
功率输出范围 | 5-300W 5W-500W可选 | ||||
最大反射功率 | 200W | ||||
射频输出接口 | 50 Ω, N-type, female | ||||
功率稳定度 | ±0.1% | ||||
谐波分量 | ≤-50dbc | ||||
供电电压 | 单相交流(187V-253V) 频率50/60HZ | ||||
整机效率 | >=70% | ||||
功率因素 | >=90% | ||||
冷却方式 | 强制风冷 |
艾科迅部分客户(CVD及PECVD及管式炉系列)
等离子增强化学气相沉积系统 常见PECVD系统组合 1. 1200度60滑轨式微型管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,300W射频电源 |
TF1200-60S-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ300 |
2. 1200度60滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源 |
TF1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 |
3. 1200度60双温区滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源 |
TF1200-60II-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 |
4. 1200度60三温区滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源 |
TF1200-60III-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 |
5. 1200度60微型预热炉,1200度60滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源 |
TF1200-60S,MXG1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 |
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