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反应离子刻蚀设备
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科睿设备有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd )为多家国外高科技仪器厂家在中国地区的代理。科睿公司一贯秉承『诚信』、『品质』、『服务』、『创新』的企业文化，为广大中国用户提供仪器、设备，周到的技术、服务和*的整体解决方案。在科技日新月异、国力飞速发展的中国，纳米科学研究、薄膜材料(包括半导体)生长和表征、表面材料物性分析、生物药物开发、有机高分子合成等等领域，都需要与欧美发达国家*接轨的仪器设备平台来实现。科睿设备有限公司有幸成长在这个火热的年代，我们愿意化为一座桥梁，见证中国科技水平的提升，与中国科技共同飞速成长。
科睿设备有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd)总部设在中国香港，在中国上海设立了分公司，在国内多个城市设立了办事处或维修站，旨在为客户提供*的产品和服务。2010年，科睿设备有限公司在上海设立备品仓库及维修中心，同时提供在大陆的各项技术服务和后期的维修保障服务，我们拥有专业的应用维修人员，并且都曾到国外厂家进行了专门的培训。上海配备了多种维修部件，能使我们的服务更加快捷和方便。我们承诺24小时电话响应，72小时内赶到现场维修。以利于更好、更快的为中国大陆服务！
因为信任,所以理解.我们理解用户的困难和需求。我们已经为国内众多科研院所和大学根据用户的要求配制和提供了上百套系统，主要用户包括：中科院物理所，中科院半导体所，中科院大连化学物理研究所，国家纳米中心，上海纳米中心，北京大学，清华大学，中国科技大学，南京大学，复旦大学，上海交通大学，华东理工大学，浙江大学，中山大学，西安交通大学，四川大学，中国工程物理研究院，香港大学，香港城市大学，香港中文大学，香港科技大学等。
详细信息
反应离子刻蚀设备
RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，是一种微电子干法腐蚀工艺。
RIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，必须对真空度，气体流量，离子加速电压等进行佳调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。
我司提供多型号的RIE刻蚀系统，满足国内客户研究和生产的需要。
反应离子刻蚀设备
深反应离子蚀刻系统(Deep Reactive Ion Etching System)
RE系列反应离子蚀刻系统带有淋浴头式样的气体分配系统及水冷射频压盘，柜体为不锈钢材质。反应腔体为13英寸铝制、从顶端打开方便晶片装载取出，最大可进行8英寸直径样品实验，带有两个舱门：一个舱门带有2英寸视窗，另一个舱门用于终点探测及其他诊断。腔体可达到10-6 Torr压力或更高，自直流偏置连续监控、最大可达到500伏偏电压(各向异性蚀刻)。该反应离子蚀刻系统为*由计算机控制的全自动设备。
DRIE系列深反应离子蚀刻系统带有低温晶片冷却及偏置压盘，设备使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的涡轮泵，在10-3Torr压力范围运行。
RIE 设备参数:
铝材腔体或不锈钢腔体；
不锈钢盒；
可以刻蚀硅化物(~400 Å /min)或金属；
典型硅刻蚀速率 400 Å /min；
射频源: 最大12”阳极化射频平板(RF)；
真空度:大约20分钟内达到1E-6Torr,极限真空5E-7Torr；
双刻蚀容量：RIE和等离子刻蚀；
气动升降盖；
手动/全自动装卸样品；
预抽真空室；
电脑控制
选配ICp源和平台的低温冷却实现深硅刻蚀。
反应离子蚀刻系统可选配：
1. 最高700W的高密度等离子源进行各向同性蚀刻(isotropic etching)；
2. ICP等离子源，2KW射频电源及调谐器；
3. 低温基底冷却(Cryogenic substrate cooling)；
4. 终点探测(End point detection) ；
5. 兰缪尔探针；
6. 静电卡盘(Electrostatic chuck)；
7. 附加MFC’s；
8. 1KW射频电流源及调谐器；
9. 低频电流源及调谐器；
