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FR-Scanner AIO-Mic-RΘ150 自动化高速薄膜厚度测量仪
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- FR-Scanner AIO-Mic-RΘ150
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岱美仪器技术服务（上海）有限公司（Dymek Company Ltd ，下面简称岱美）成立于1989年，是一间拥有多年经验的高科技设备分销商，主要为数据存储、半导体、光通讯、高校及研发中心提供各类测量设备、工序设备以及相应的技术支持，并与一些重要的客户建立了长期合作的关系。自1989年创立至今，岱美的产品以及各类服务、解决方案广泛地运用于中国香港，中国大陆（上海、东莞、北京），中国台湾，泰国，菲律宾，马来西亚，越南及新加坡等地区。
岱美在中国大陆地区主要销售或提供技术支持的产品：
晶圆键合机、纳米压印设备、紫外光刻机、涂胶显影机、硅片清洗机、超薄晶圆处理设备、光学三维轮廓仪、硅穿孔TSV量测、非接触式光学三坐标测量仪、薄膜厚度检测仪、主动及被动式防震台系统、应力检测仪、电容式位移传感器、定心仪等。
岱美重要合作伙伴包括有：
Thetametrisis, EVG, FSM, Opto-Alignment, Herz, PLSINTEC, Film Sense, Reditech, Lazin, Delcom, Microsense, Shb, boffotto, RTEC, Kosaka, Nanotronics, MTInc, 4D, Daeil, Microphysics,
n&k Technology, First Nano, Schmitt, LESCO, Otsuka, STI, Kurashiki, Ryokosha, SURAGUS, Westbond...
如有需要，请联系我们，了解我们如何开始与您之间的合作，实现您的企业或者组织机构长期发展的目标。
详细信息
1、FR-Scanner-AIO-Mic-RΘ150介绍
模块化厚度测绘系统平台，集成了光学、电子和机械模块，用于表征图案化薄膜光学参数。典型案例包括（但不限于）微图案表面、粗糙表面等。晶圆放置在真空吸盘上，该真空吸盘支持尺寸/直径达 300 毫米的各种晶圆，执行测量光斑尺寸小至几微米的强大光学模块。具超高精度和可重复性的电动RΘ 载物台，在速度、精度和可重复性方面具有出色的性能。
FR-Scanner-AIO-Mic-RΘ150提供：o 实时光谱反射率测量 o 薄膜厚度、光学特性、不均匀性测量、厚度测绘o 使用集成的、USB 连接的高质量彩色相机进行成像o 测量参数的统计数据 * 还提供用于测量更大直径晶圆上涂层的工具（最大 450 毫米）
2、特征
o 单击分析（无需初始猜测）
o 动态测量
o 光学参数（n & k、色座標）
o Click2Move 和图案測量位置对齐功能
o 多个离线分析安装
o 免费软件更新
3、规格
Model | UV/VIS | UV/NIR -EX | UV/NIR-HR | D UV/NIR | VIS/NIR | D VIS/NIR | NIR | NIR-N2 | ||
Spectral Range (nm) | 200 – 850 | 200 –1020 | 200-1100 | 200 – 1700 | 370 –1020 | 370 – 1700 | 900 – 1700 | 900 - 1050 | ||
Spectrometer Pixels | 3648 | 3648 | 3648 | 3648 & 512 | 3648 | 3648 & 512 | 512 | 3648 | ||
Thickness range (SiO2) *1 | 5X- VIS/NIR | 4nm – 60μm | 4nm – 70μm | 4nm – 100μm | 4nm – 150μm | 15nm – 90μm | 15nm–150μm | 100nm-150μm | 4um – 1mm | |
10X-VIS/NIR 10X-UV/NIR* | 4nm – 50μm | 4nm – 60μm | 4nm – 80μm | 4nm – 130μm | 15nm – 80μm | 15nm–130μm | 100nm–130μm | – | ||
15X- UV/NIR * | 4nm – 40μm | 4nm – 50μm | 4nm – 50μm | 4nm – 120μm | – | – | 100nm-100μm | – | ||
20X- VIS/NIR 20X- UV/NIR * | 4nm – 25μm | 4nm – 30μm | 4nm – 30μm | 4nm – 50μm | 15nm – 30μm | 15nm – 50μm | 100nm – 50μm | – | ||
40X- UV/NIR * | 4nm – 4μm | 4nm – 4μm | 4nm – 5μm | 4nm – 6μm | – | – | – | – | ||
50X- VIS/NIR | – | – | – | – | 15nm – 5μm | 15nm – 5μm | 100nm – 5μm | – | ||
Min. Thickness for n & k | 50nm | 50nm | 50nm | 50nm | 100nm | 100nm | 500nm | – | ||
Thickness Accuracy **2 | 0.1% or 1nm | 0.2% or 2nm | 3nm or 0.3% | |||||||
Thickness Precision **3/4 | 0.02nm | 0.02nm | <1nm | 5nm | ||||||
Thickness stability **5 | 0.05nm | 0.05nm | <1nm | 5nm | ||||||
Light Source | Deuterium & Halogen | Halogen (internal), 3000h (MTBF) | ||||||||
R/Angle resolution | 5μm/0.1o | |||||||||
Material Database | > 700 different materials | |||||||||
Wafer size | 2in-3in-4in-6in-8in-300mm | |||||||||
Scanning Speed | 100meas/min (8’’ wafer size) | |||||||||
Tool footprint / Weight | 650x500mm / 45Kg | |||||||||
Power | 110V/230V, 50-60Hz, 350W | |||||||||
测量区域光斑（收集反射信号的区域）与物镜和孔径大小有关
物镜 | Spot Size (光斑) | ||
放大倍率 | 500微米孔径 | 250微米孔径 | 100微米孔径 |
5x | 100 μm | 50 μm | 20 μm |
10x | 50 μm | 25 μm | 10 μm |
20x | 25 μm | 15 μm | 5 μm |
50x | 10 μm | 5 μm | 2 μm |
4、工作原理
Principle of Operation 测量原理White Light Reflectance Spectroscopy (WLRS) 白光反射光谱是测量从单层薄膜或多层薄膜堆叠结构的一个波长范围内的反射量，入射光垂直于样品表面，由于界面干涉产生的反射光谱被用来计算确定（透明或部分透明或wan'quan反射基板上）薄膜的厚度、光学常数（N&K）等。
*1规格如有变更，恕不另行通知，*2与校正过的光谱椭偏仪和x射线衍射仪的测量结果匹配，*3超过15天平均值的标准偏差平均值，样品:硅晶片上1微米SiO2，*4标准偏差100次厚度测量结果，样品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天内每日平均值的2*标准差。样品:硅片上1微米SiO2。
