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首页>半导体行业专用仪器>其它半导体行业仪器设备>少子寿命测试仪

MDPmap-1 MDPmap单晶和多晶硅片寿命测量仪

型号
MDPmap-1
束蕴仪器(上海)有限公司

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代理商

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束蕴仪器(上海)有限公司自成立以来,凭借与德国布鲁克(BRUKER)、衍射数据中心(ICDD)、德国Freiberg等实验室分析仪器品牌的战略合作,迅速成为业界仪器供应商。

我们拥有一支积极乐观,正直诚信的年轻团队,我们热忱的信仰科学,相信科学技术能为我们的客户带来高品质的生活,为社会的进步起到积极的促进作用。

束蕴仪器为各类客户提供优质的实验室和工业检测仪器及过程控制设备,专业的应用支持及完善的售后服务,在中国大陆的诸多领域拥有大量用户,如高校、科研院所、航空航天,政府组织、检验机构、及工业企业。产品覆盖了医药、生物、材料、考古、电子、食品等各个行业。

公司的宗旨:为客户量身打造合适的综合解决方案、技术支持和现场服务,优质的客户培训,快速及时的售后服务。

 

束蕴仪器,让世界更清晰!

主营仪器设备:

--高分辨X射线显微CT、多量程X射线纳米CT、X射线衍射仪、X射线荧光光谱仪、电子顺磁共振波谱仪          (ESR/EPR)、台式核磁共振波谱仪 TD-NMR、光学轮廓仪等 -- 德国布鲁克Bruker 授权代理商

--PDF衍射数据库、JADE软件--衍射数据中心(ICDD)授权代理商

--晶圆片寿命检测仪、在线晶圆片/晶锭点扫或面扫检测、晶圆片在线面扫检测仪、台式PID潜在诱导退化测试仪、释光测定仪等--德国Freiberg Instruments授权代理商

--BPCL化学发光仪--微光科技华东区总代理

 


 单位名称:束蕴仪器(上海)有限公司

详细地址:上海市松江区千帆路288弄G60科创云廊3号楼602室

 

 

 

 

 

详细信息

MDPmap:     

单晶和多晶硅片寿命测量设备用于复杂的材料研究和开发         

       

        

特点:        

  灵敏度:高的灵敏度,用于可视化迄今为止不可见的缺陷和调查外延层的情况        

◇  测量速度:6英寸硅片<5min,分辨率为1mm        

◇  寿命范围:20ns到几十ms        

◇  污染测定:源于坩埚和设备的金属(铁)污染        

◇  测量能力:从切割好的硅片到加工的样品        

◇  灵活性:固定的测量头可以与外部激光器连接并触发        

◇  可靠性:模块化和紧凑型台式仪器,可靠性更高,正常运行时间>99%        

◇  重复性:> 99%        

◇  电阻率:电阻率测绘,无需频繁校准        

       
技术规格:         

样品尺寸                        

直径达300mm(标准台),直径达450mm(定制),*小为5 x 5mm                        

寿命测量范围 

20ns至几十ms以上 

电阻率                        

0.2 - >10³Ω·cm,p-型/n-型                        

样品材料                        

硅片、外延层、部分或加工的硅片、化合物半导体及更多材料                        

可测量的特性

寿命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光导率 

激发波长                        

选择从355nm到1480nm的*多四个不同波长。980nm(默认)                        

尺寸规格                        

体积:680 x 380 x 450毫米;重量:约65公斤                        

电源                        

100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A                        










MDPmap单晶和多晶硅片寿命测量仪 - 细节:       

◇  用于研发或生产监控的灵活测绘工具      

◇  MDPmap被设计成一个紧凑的台式非接触电学表征工具,用于离线生产控制或研发,在稳态或短脉冲激励(μ-PCD)下,在一个宽的注入范围内测量参数,如载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息。自动化的样品识别和参数设置允许轻松适应各种不同的样品,包括外延层和经过不同制备阶段的晶圆,从原生晶圆到高达95%的金属化晶圆        

◇  MDPmap的主要优点是它的高度灵活性,例如,它允许集成多达四个激光器,用于测量从较低到高的注入水平的寿命,或通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设施,以及μ-PCD或稳态注入条件的选项。可以用不同的地图进行客户定义的计算,也可以输出主要数据进行进一步评估。对于标准的计量任务,预定义的标准只需按下一个按钮就能进行常规测量。            


 附加选项:        

       

◇  光斑大小的变化       

◇  电阻率测量(晶圆)        

◇  方块电阻        

◇  背景/偏光        

◇  反射测量(MDP)        

◇  太阳能电池的LBIC(扩散长度测量)        

◇  偏压MDP        

◇  参考晶圆        

◇  硅的内部/外部铁制图        

◇  集成加热台        

◇  灵活的激光器配置 


MDPmap单晶和多晶硅片寿命测量仪测量案例

                

                

钝化多晶硅的寿命图                

多晶硅的铁污染图            

                

                

单晶硅的硼氧图            单晶硅的缺陷密度图            
          
碳化硅外延片(>10μm)-少数载流子寿命mapping图(平均寿命τ=0.36μs)            
            
高阻硅片(>10000Ω·cm)-少数载流子寿命mapping图            
            
非钝化硅外延片(20μm)-少数载流子寿命mapping图            


MDPmap 应用:

铁浓度测定        

铁的浓度的精确测定是非常重要的,因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此,有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度,具有非常高的分辨率且**是在线的        

更多......        

     

掺杂样品的光电导率测量        

B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用,但到目前为止,没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难……        

更多......        

       

       

陷阱浓度测定        

陷阱中心是非常重要的,为了了解材料中载流子的行为,也可以对太阳能电池产生影响。因此,需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度活化能        

更多......        

       

       

注入相关测量        

少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心俘获中心的信息。        

更多......        

      


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