B（硼）和P（磷）的掺杂被用于微电子工业的许多应用，但是到目前为止，还没有一种方法可以在不接触样品并由于必要的退火步骤而改变其特性的情况下检查这些掺杂的均匀性。到目前为止的困难是，掺杂区域通常只有几微米的深度，而且掺杂的剂量非常低。MDP能够以高的分辨率来描述这些掺杂的样品，并能很好地区分不同的掺杂剂量。
在这种情况下，光导率或信号高度是检测掺杂物中不均匀性的敏感的参数。它在很大程度上取决于电阻率和少数载流子寿命本身。
在MDPmap和MDPingot设备中，可以集成4个不同波长的激光器。此外，还可以用不同的脉冲长度进行测量，从只有100ns的非常短的脉冲，即没有载流子扩散发生，到几个ms的脉冲长度，即载流子扩散到样品的深度。因此，通过改变激光波长和脉冲长度，有可能以不同的渗透深度进行测量。
图1：掺杂深度为2微米的P型掺杂剂
图2：不同P型掺杂浓度下的样品的光导率测量
实验在这种情况下，我们选择了脉冲长度为100ns的660nm激光器；因此，实现了大约4μm的穿透深度。图1显示了测量的Cz-Si样品中掺杂的P型掺杂剂，图2显示了如何通过光导率测量来区分不同的掺杂浓度。
