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低真空化学气相沉积设备
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低真空化学气相沉积设备(LPCVD)是一種化學氣相沉積技術,利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應,還可以提高整個基板的均勻性。除此之外,該過程取決於溫度控制,過程溫度越高,維持性越好。與大氣壓下的傳統CVD製程相比,LPCVD的優勢在於:每批製程可裝載更多的晶圓(每批100-200個晶圓)、晶圓內的厚度均勻性得到了改善(<±3%),並且降低生產成本。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載台溫度),並提供高品質的薄膜。
低真空化学气相沉积设备参数
應用领域 | 腔體 |
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配置和優點 | 選件 |
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