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原子层沉积设备
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北京瑞科中仪科技有限公司长期代理销售供应多种分子材料的研究分析设备，其中包括但不限于扫描电子显微镜、感应耦合等离子体化学气相沉积系统、离子束刻蚀机、等离子清洗机、物理气相沉积系统以及各品牌的光学显微镜以及实验室设备仪器。
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详细信息
原子层沉积设备（ALD）为一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。通過ALD循環的次數，緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統為150~350oC)。
SYSKEY的系統可以精準的控制ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1％。
厚度均匀度（WIW）：
原子層沉積設備單個12英寸晶圓用於沉積目標厚度為5nm的Al2O3和HfO2膜。使用橢偏儀進行27點厚度測量並輸入標準偏差公式。在±0.5nm範圍內和均勻度的5％以內。 
介電常數和功函數：
準備三個矽晶片，並以固定的厚度沉積Al2O3/ TiN和化學氧化物/ HfO2/ TiN。測量三個樣品的CV圖以計算介電常數和洩漏電流：介電常數應為7〜9（Al2O3）和18〜22（HfO2），並且洩漏電流小於1 nA（@ 1V）。
| 原子层沉积设备應用領域 | 腔體 |
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| 配置和優點 | 選件 |
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