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CC-200 日本ULVAC爱发科半导体化学气相沉积设备
- 型号
- CC-200
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详细信息
日本ULVAC爱发科半导体化学气相沉积设备
日本ULVAC爱发科半导体化学气相沉积设备
负载锁定等离子体CVD设备CC-200
负载锁定等离子体CVD装置CC-200体积小且易于使用，适用于从研发到生产的一切。
特征
27.12MHz高密度等离子工艺
SiH 4型：SiO 2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS 型：可提供 SiO 2薄膜
可使用CF 4 +O 2等离子体清洁腔室
与有机EL低温成膜用加热器兼容
通过托盘传输支持各种尺寸的电路板
真空箱允许在 C 系列单元之间进行间接连续处理（溅射：CS-200，蒸发：CV-200）。
目的
功率器件
LED、LD、高速器件等相关化合物
有机EL开发
太阳能电池开发
微机电系统
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