一、定义与原理
定义：等离子去胶是利用等离子体技术，通过气体放电产生高能粒子，这些粒子能够解离化学键、改变分子结构，从而有效去除物体表面的污染物、残留胶层等杂质的过程。
原理：在特定压强和电压条件下，通过气辉放电的方式产生等离子体。等离子体由电子、离子、自由基等活性粒子组成，具有很高的能量和反应活性。当等离子体直接喷向被处理表面时，会与表面物质发生化学反应，分解并去除污染物，同时增加表面的活性，提升润湿性和附着力。
二、优势与特点
高效去胶：等离子体的高反应活性使其能够迅速破坏胶体颗粒的结构，实现胶体的去除。
环保节能：无需使用化学溶剂，减少二次污染和资源消耗，符合环保要求。
精准控制：具备高精度的控制和均匀性控制，确保处理效果的一致性。
广泛适用：适用于多种材料和工艺，包括硅片、玻璃片、金属等。
三、工艺参数与影响因素
等离子去胶的效果受多个工艺参数的影响，包括射频频率、清洗时间、真空压力值以及腔体温度等。这些参数需要根据具体的去胶需求和材料特性进行调整和优化，以获得最佳的去胶效果。
岱美设计生产的先进干法去胶、掩膜蚀刻系列产品，可用于大批量去胶与大剂量离子注入后去胶，同时还可用于各种硬掩膜层干法蚀刻。
微波等离子清洗，等离子去胶工艺拥有低污染颗粒，低成本大规模量产，高均匀性与高可复制性等工艺特征。采用高度模块化设计，为广大客户提供多样灵活配置方案，满足不同的先进制程要求。
四、等离子去胶应用领域：
1、LDI后光刻胶去除；
2、光刻胶、聚合物去除（灰化）；
3、大剂量离子注入后光刻胶去除；
4、二氧化硅、氮化硅、氮化钛掩膜蚀刻；
5、碳化硅、氮化镓、钽酸锂、磷化铟材料工艺；
6、射频滤波器BAW，SAW生产工艺中光刻胶去除；
7、MEMS应用、晶圆级封装（PR、PI、BCB、PBO）。
