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在过去的五年中,基于石墨烯的气体传感器引起了很大的兴趣,显示出了单分子检测的优势。 近的研究表明,与未构图的层相比,构图石墨烯可大大提高灵敏度.
通过标准程序生长CVD石墨烯,然后转移到Si/SiO 2模板上进行进一步处理。 如(Mackenzie,2D Materials,使用物理阴影掩模和激光烧蚀来定义接触和器件区域。
使用软压印在CNI v2.0中进行热纳米压印光刻,将mr-I7010E压印抗蚀剂在130℃,6bar压力下压印10分钟,压力在70℃下释放。
通过反应离子蚀刻将边缘到边缘间隔为120-150nm的大面积图案的孔转移到石墨烯中,并且用丙酮除去残留的抗蚀剂。
发现器件具有大约的载流子迁移率发现器件在加工前具有约2000cm2/Vs的载流子迁移率,之后具有400cm2/Vs的载流子迁移率处理,同时保持整体低掺杂水平。