从而使分析结果更精确，因此所采用的半导体器

件模型要比前面所介绍的复杂得多。

   通常，建立器件模型的方法有两种，一种是建立在器件物理原理基础上的模型，另一种是根据器件外特性(如输人、输出特性)构造的模型。哈默纳科CAD建模谐波减速器SHG-65-160-2UH在电子电路CAD中，半导体器件大都以*种方法建模，它们必须能够反映复杂的特性，因而模型参数较多。例如，晶体管和场效应管的模型参数就有40个之多，即使比较简化的EM2模型，也有十几个参数。

   目前国际各种电子电路计算机辅助设计工具软件，几乎都是以美国加利福尼亚大学柏克莱分校所开发的SPICE 程序为基础实现的。各商用软件都作了许多实用化工作，如图形化输人、提供丰富的器件模型库参数等。

一、高压容器在工业生产中的应用

   1833年法国巴黎大学教授Lame和Clapeyron得出哈默纳科CAD建模谐波减速器SHG-65-160-2UH了厚壁圆筒平衡公式和应力分布公式，提出了在圆筒内施加压力时其内部的应力分布，从而为高压容器的发展奠定了理论基础。

   1888年法国学者Lechatlier首先提出利用压力这个因素来促进氢氮的反应及提高氨产量的著名原理及设想。继而德国化学家Haber等继续进行了这方面的研究，并从设备上解决了问题