Opto Diode高功率红外二极管

Opto Diode高功率红外二极管，准黑体，无窗口材料

Opto Diode生产五个系列的红外发射二极管，用于各种医疗和工业领域，包括气体分析、环境监测、光谱学和过程控制。从稳态（直流电）发射器（SA系列）到大功率稳态发射器（SHA系列），到黑体辐射脉冲光源（SVF系列）和黑体辐射快速脉冲光源（SPF系列），到带有集成驱动电子元件的高速红外发射源（PIRE^PLUS），相信这些优秀产品一定可以满足客户苛刻的需求。本篇主要介绍一下SHA系列高功率直流稳态红外发射源。

高功率稳态SHA系列

SHA系列高功率输出的直流稳态红外二极管被设计用来作为准黑体辐射源，TO5封装，盘绕灯丝型的发射管，没有加窗口。发射率典型值0.70。

高功率红外发射源关键特点

-高功率稳态（直流）发射器

-在光谱范围近似于一个黑体

-特定镀膜的盘绕灯丝

-反射面可以得到准直且均匀的辐射

-发射率典型值0.70

高功率红外直流稳态光源-SHA系列

Opto Diode高功率SHA系列红外直流稳态发射器被设计成一个近似的黑体辐射源，产生辐射的元件是一个用特定材料镀膜的盘绕灯丝，辐射率典型值是0.70。输出的辐射率光谱可看作是准黑体。SHA系列的发射源设计的额定灯丝温度是1170K。

SHA系列发射器以TO-5封装形式提供，具有特定的灯丝直径和线圈数量以提供灯丝温度为1170 K时所需的输入/输出功率。发射器包括一个抛物面反射器以提供近似准直且均匀的辐射输出。封装类型可以选择加装窗口材料或者不加。

驱动电路

任何具有适当额定值的恒压或恒流直流电源

灯丝温度与输入功率

稳态发射器被设计用于灯丝温度约为1170K（900°C）的条件下工作额定输入功率。超过此值将提高元件温度并缩短发射器寿命。因为辐射能量与绝对温度（T4）的第四次方成正比，精确控制输入功率和封装的适当散热对于保持恒定的元件温度和输出是很重要的，散热器必须将封装温度限制在不超过 100°C。峰值波长与黑体辐射温度之间的关系由维恩定律表示为：

λ_pk (microns) x T (K) = 2898

因此，输出的最大波长随着温度变化而变化。在温度为1170 K，峰值波长为2.5 um。SHA系列稳态发射器是一个发射率0.70的准黑体。发射率定义为一个比值：实际辐射源的辐射能量与同温度下的黑体辐射的比值。

黑体辐射发射率（出射度）

SA系列发射器在特定温度下近似一个黑体，如所示为黑体辐射-温度曲线。

Opto Diode高功率红外二极管