OSI InGaAs光电二极管，700nm-1700nm

OSI InGaAs光电二极管是用于检测近红外(700nm-1700nm波长)光的半导体器件。OSI Optoelectronics已经开发了各种各样的设备，适用于该频谱范围内的大量应用，如:背面检测、功率监测、DWDM组件、OTDR测量等。OSI InGaAs光电二极管，铟镓砷探测器

OSI Optoelectronics的10Gbps光电二极管FCI-InGaAs-36C是一款支持OC-192(SONET/SDH)的光敏器件，具有低暗电流和良好的性能稳定性。FCI-InGaAs-36C暗电流是0.5nA，电容是0.16pF，在1310nm处的响应度是0.85A/W，芯片大小是450x250μm，有效面积是36μm。

阳极和阴极触点均位于芯片顶面。OSI铟镓砷光电二极管FCI-InGaAs-36C是10Gbps高速数据传输应用的理想元件、它的光谱范围从910nm到1650nm。

OSI Optoelectronics的最新产品系列包括超低反射率光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为电信应用而设计，在1520nm至1620nm波长范围内的典型光学反射率低于0.6%。通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层抗反射涂层，实现了在宽波长范围内的超低反射率。

OSI铟镓砷光电二极管阵列型号

FCI-InGaAs-300B1XX系列是多功能背照式OSI InGaAs光电二极管阵列。它们的标准配置是有源面积为300um的4或8元阵列。背照式InGaAs光电二极管阵列可倒装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统安装方式（有源区朝上），也可以朝下组装，从而最大限度地减小整体尺寸。这些低电感、低暗电流和低电容背照式光电二极管阵列可使用或不使用陶瓷基板。

FCI-InGaAs-XXM系列是线性阵列光电二极管，具有4、8、12和16个阵列，是OSI光电高速红外敏感OSI InGaAs光电探测器阵列的一部分。每个AR涂层的元素是能够2.5Gbps的数据速率表现出从1100纳米到1620纳的高响应性。

检测器放大器混合

FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的紧凑型高速OSI InGaAs光电探测器。将探测器和跨阻放大器集成在一个密封的4引脚TO-46封装中，为高速信号放大提供了理想的条件。高速度和高灵敏度使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列还提供FC、SC、ST和SMA插座。

高速光电二极管

FCI-InGaAs-XXX系列具有75μm、120μm、300μm和500μm的活动区域尺寸，具有数据通信和电信应用所需的特性。这些器件在1100纳米到1620纳米范围内具有低电容、低暗电流和高响应度的特点，是局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想之选。光电二极管封装在3铅隔离的TO-46罐或与AR涂层的平面窗口或微透镜，以提高耦合效率。FCI- InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA插座。

大面积光电二极管

FCI-InGaAs-XXX-X系列有源区尺寸分别为1mm、1.5mm和3mm，是OSI Optoelectronics大有源区红外敏感探测器的一部分，在1100nm至1620nm范围内表现出优异的响应性，对微弱信号具有很高的灵敏度。这些大有源区器件非常适合用于红外仪器和监控应用。

监视器光电二极管

OSI Optoelectronics提供广泛的InGaAs监视器光电二极管。它们具有70um，120um，300um，500 um的有效面积，是安装在金属化陶瓷基板上的监控器光电二极管系列的一部分。这些紧凑的组件设计为易于集成。

尾纤光电二极管组件

FCI-InGaAs-XX-XX-XX 有源面积为75um和120um，属于OSI Optoelectronics的高速红外敏感探测器系列，采用光纤尾纤封装。单模/多模光纤与TO-46透镜盖封装的密封OSI InGaAs光电二极管光学对准，提高了耦合效率和稳定性。

四象限InGaAs光电二极管

FCI-InGaAs-QXXX系列是有效面积大OSI InGaAs光电探测器，分为四个独立的有效区域。这些光电二极管在1毫米和3毫米的有源区直径。InGaAs系列具有高响应性、高均匀性和元件之间的低串扰是精确调零或对中心应用以及光束轮廓分析应用的理想选择。它们在1100nm至1620nm范围内表现出优异的响应性，并且在时间和温度范围内稳定，响应时间快，适合高速或脉冲操作。OSI InGaAs光电二极管，铟镓砷探测器