波长范围1μm-5.5μm，InSb/HgCdTe，锑化铟/碲镉汞探测器

美国InfraRed Associates公司为热成像、科研以及光谱学等应用提供锑化铟/碲镉汞探测器和锑化铟/碲镉汞双色红外探测(InSb/HgCdTe 2-color)，这些Infrared探测器各有各的优势和特点，以下简单介绍这几款Infrared锑化铟/碲镉汞MCT探测器。Infrared Associates锑化铟/碲镉汞探测器

图1：InSb/HgCdTe探测器图示

光伏锑化铟探测器(InSb Detectors)：

InfraRed Associates提供的光伏锑化铟探测器是利用单晶材料通过介子技术形成p-n结，这种工艺可生产出较高质量的光电二极管，并且在1μm至5.5μm波长区域表现出的电光性能。这些二极管是背景限制(BLIP)的探测器，其性能可通过空间（冷却FOV stops）或光谱（冷却干扰滤波器）减少背景来提高。

图2：D*值曲线图

光电效应是指当适当波长的辐射入射到p-n结时，p-n结上会产生电势。当光子通量照射到交界时，如果光子能量超过禁带间隙能量，就会形成电子-空穴对。

磁场将电子从p区扫向n区，将空穴从n区扫向p区。这一过程使p区为正，n区为负，并在外部电路中产生电流。InSb探测器的等效电路如下所示。该电路由信号和噪声电流发生器与电阻和电容项并联组成。

图3：InSb探测器的等效电路图

当背景辐射通过在有源元件中产生恒定输出而改变工作曲线时，探测器应反向偏置，使其回到最佳工作点：零电压。

这可以通过使用匹配的前置放大器来实现，例如IAP-1000IS。探测器前置放大器系统在探测器噪声受限模式下工作，需要双路输出电源。

光伏锑化铟探测器的应用：

- 医疗热成像

- 热成像

- 光谱学

- 辐射测量

- 科研

- 红外显微镜

光伏锑化铟探测器的规格参数：

标准光伏锑化铟探测器规格表

可根据客户的规格要求定制配置和阵列。此外，还可提供定制的金属和玻璃露台，以配合各种冷却技术，详情请联系我们。

碲镉汞(MCT)探测器(Mercury Cadmium Telluride (HgCdTe))：

InfraRed Associate提供完整系列的光电导碲镉汞 (HgCdTe) LN2 和 TE 冷却探测器。通过调整这种三元化合物的合金成分，可以改变波长响应。

操作这些光电导碲镉汞探测器时需要偏置电压，并确定最佳值以实现最高信噪比。InfraRed Associates的探测器在性能上通常受到背景噪声的限制。

标准LN2冷却和TE冷却（LN2 cooled and TE cooled）MCT探测器的响应如下图所示，图中给出的是FOV60度下的D*值和响应度。数值因元件尺寸和封装而异，请参阅规格表，了解与探测器要求相对应的数据。

图4：标准LN2冷却和TE冷却（LN2 cooled and TE cooled）MCT探测器的响应图

光电导碲镉汞探测器的应用：

- 医学热成像

- 热成像

- 傅立叶变换红外光谱仪

- 分析仪器

- 科研

- 污染监测

锑化铟/碲镉汞双色红外探测器(InSb/HgCdTe 2-color)：

InfraRed Associates为商业和军事应用提供InSb/HgCdTe 双色红外探测器。这些探测器可对红外光谱中不同但相邻的区域做出响应，一个元件响应短波长辐射，另一个元件响应长波长辐射。

其中，结构允许两个元件位于同一焦点。 InSb/HgCdTe 双色探测器的InSb元件对1µm至5.5µm的辐射做出响应，HgCdTe元件对5.5µm至12.5µm的辐射做出响应。碲化镉汞元件可进行定制，以将其长波长响应范围扩展到25mm以上。可根据客户的规格要求进行定制配置，了解详情，请联系我们。

图5：响应度曲线图

锑化铟/碲镉汞双色红外探测器的应用：

- 辐射测量

- 热成像

- 背景识别Background Discrimination

- 傅立叶变换红外光谱

- 红外显微镜

锑化铟/碲镉汞双色红外探测器的规格参数：

标准InSb/HgCdTe双色红外探测器规格表

Infrared Associates锑化铟/碲镉汞探测器