为何要去除光刻胶？

在现代半导体生产过程中，会大量使用光刻胶来将电路板图图形通过掩模版和光刻胶的感光与显影，转移到晶圆光刻胶上，从而在晶圆表面形成特定的光刻胶图形，然后在光刻胶的保护下，对下层薄膜或晶圆基底完成进行图形刻蚀或离子注入，最后再将原有的光刻胶*去除。

去胶是光刻工艺中的最后一步。在刻蚀/离子注入等图形化工艺完成后，晶圆表面剩余光刻胶已完成图形转移和保护层的功能，通过去胶工艺进行*清除。

光刻胶去除是微加工工艺过程中非常重要的环节，光刻胶是否*去除干净、对样片是否有造成损伤，都会直接影响后续集成电路芯片制造工艺效果。

半导体光刻胶去除工艺有哪些？

半导体光刻胶去除工艺，一般分成两种，湿式去光刻胶和干式去光刻胶。湿式去胶又根据去胶介质的差异，分为氧化去胶和溶剂去胶两种类别。

各类去胶方法对比：

上图可见，干式去胶适合大部分去胶工艺，去胶*且速度快，是现有去胶工艺中好的方式，而微波PLASMA去胶技术，也是干式去胶的一种。

达因特的微波PLASMA去胶机，搭载国内微波半导体去胶发生器技术，配置磁流体旋转架，使微波等离子体更加高效、均匀的输出，不仅去胶效果好，还能做到无损硅片与其他金属器件。并提供“微波+Bias RF”双电源技术，以应对不同客户需求。