其他品牌 品牌
生产厂家厂商性质
北京市所在地
PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版
(PICOSUN™ ALD R-200 Standard)
名称:原子层沉积系统 产地:芬兰
Picosun简介
Picosun是yi家公司,Picosun的总部位于芬兰的Espoo,其生产设施位于芬兰的Masala(Kirkkonummi)。PICOSUN®ALD设备专为高产量和高产量而设计,并且不断发展以提高效率。Picosun适应性强其客户包括 大的电子制造商,小型的创新型挑战者以及 先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN®研发工具具有du特的内置可扩展性,可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中,而不会出现技术差距。Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案,从而引 行业发展时,Picosun是您的合作伙伴。
Picosundu特的突破性ALD专业知识可追溯到ALD技术本身的诞生。于1974年在芬兰发明了ALD方法,并在工业上获得了 。在高质量ALD系统设计方面拥有丰富的经验。高度敬业的Picosun人员拥有的ALD经验,并且为ALD的许多 做出了贡献。
PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现ji佳的均匀性,包括 具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度 小的薄膜层。在 基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个du立的,*分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™ R系列du特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中,就会吸引到企业投资。
PICOSUN®R-200标准
PICOSUN®R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发,例如IC组件,MEMS器件,显示器,LED,激光和3D对象,例如透镜,光学器件,珠宝,硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场领dao者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的shou选工具。
敏捷的设计实现了 高质量的ALD薄膜沉积以及系统的 终灵活性,可以满足未来的需求和应用。 的热壁设计具有*du立的入口和仪器,可实现无颗粒工艺,适用于晶圆,3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术,即使在 具挑战性的通孔,超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态,气态和固态化学物质前体源。与手套箱,粉末室和各种原位分析系统集成,无论您现在的研究领域是什么,或以后可能成为什么样的研究领域,都可以进行高效,灵活的研究,并获得良好的结果。
技术指标
衬底尺寸和类型 | 50 – 200 mm /单片 |
大可沉积直径150 mm基片,竖直放置,10-25片/批次(根据工艺) | |
156 mm x 156 mm 太阳能硅片 | |
3D 复杂表面衬底(使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳) | |
粉末与颗粒(配备扩散增强器) | |
多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品 | |
工艺温度 | 50 – 500 °C, 可选更高温度(真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C) |
基片传送选件 | 气动升降(手动装载) |
预真空室安装磁力操作机械手(Load lock ) | |
前驱体 | 液态、固态、气态、臭氧源 |
4根du立源管线, 多加载6个前驱体源 | |
对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar),用氮气等载气dao入前驱体瓶内引出 | |
重量 | 350kg |
尺寸( W x H x D)) | 取决于选件 |
小146 cm x 146 cm x 84 cm | |
大189 cm x 206 cm x 111 cm | |
选件 | PICOFLOW™扩散增强器,集成椭偏仪,QCM, RGA,N2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集 |
成(用于惰性气体下装载)。 | |
验收标准 | 标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 |
应用领域
客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm(6”和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
材料 | 非均匀性(1σ) |
AI2O3 (batch) | 0.13% |
SiO2 (batch) | 0.77% |
TiO2 | 0.28% |
HfO2 | 0.47% |
ZnO | 0.94% |
Ta2O5 | 1.00% |
TiN | 1.10% |
CeO2 | 1.52% |
Pt | 3.41% |