ULVAC  研究开发用溅射设备 QAM系列
ULVAC  研究开发用溅射设备 QAM系列
ULVAC  研究开发用溅射设备 QAM系列

ULVAC QAM系列ULVAC 研究开发用溅射设备 QAM系列

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具体成交价以合同协议为准
2024-09-25 13:59:46
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北京亚科晨旭科技有限公司

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产品简介

QAM 系列镀膜设备是一种用于研究开发的精密溅射镀膜机,可用于各种基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄膜的溅射镀膜制程

详细介绍

ULVAC  研究开发用溅射设备 QAM系列

QAM 系列镀膜设备是一种用于研究开发的精密溅射镀膜机,可用于各种基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄膜的溅射镀膜制程

主要特征

A.低压溅 工艺环境

 能在较低压力下进行溅射成膜(持续放电压力 1~0.1Pa     

B.应对磁性材料薄膜的制程

l  阴极可以安装各种磁场材料的靶材(Fe、Ni、Co 等)

C.多组分共成膜/多层成膜

l  多阴极同时对位基板中心,能够进行多组分共成膜

l  开闭可控的挡板设计实现多层膜的制备    

D.   良好的膜厚均匀性/稳定沉积    

l  倾斜入射的溅射过程,实现良好的膜厚均匀性 

l  采用ULVAC-LTS※ 1技术,大程度抑制阴极边缘不匀等

离子体对基板的影响,实现稳定沉积

注 )※ 1:LTS:Long Throw Sputter

E.      UHV 对应 

    l  通过增加选项标准部品,可实现腔体本底 高真空:1.0×10‐6Pa 以下真空压力。

F.      高拓展性   

l  通过变更相应模块或部件适应性设计,来实现更多用途

 

 

 

 

 

 

 

低真空工艺环境

本设备具备约1Pa~0.1Pa的等离子体持续放电压力范围,与传统设备相比能  够在更低压力下进行溅射成膜。

多组分共溅射/多层膜溅射

本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构,从而能够进行多组分共溅射成  膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。

良好的膜厚分布

本设备采用对衬底倾斜的入射方式,从而能够实现非常良好的膜厚分布。

LTS的采用

本设备通过采用ULVAC的LTS ※ 1技术,从而能够尽可能的抑制阴极附近的不均匀等离子体对衬底的影响。

并且,该技术还能够尽可能的抑制来自阴极磁铁磁场的影响。 注)※ 1:LTS:Long Throw Sputter

对磁性材料薄膜的对应

本设备中使用的阴极能够对应各种磁性材料(Fe、Ni、Co等)。

操作界面前置

本设备通过将操作界面集中配置在设备前方,使得操作者能够仅在设备正面完  成设备的开启、关闭以及成膜等操作。先进的功能、直观的的操作以及安全性的实现

Repeatability

能够确保再现性

本设备能够将成膜和加热的相关参数作为Recipe保存,从而通过自动运行来实现高再现性的实验。

Safety

能够在Interlock设置下安全操作

本设备能够通过设置Interlock来防止误操作,从而实现对设备的保护和对人身安全的确保。同时,本设备能够一并管理设备状态,还能够     任意设定靶材寿命等参数在某数值下报警。

Intuitive operation

直观的操作界面

本设备中排气和工艺的操作按钮以动作流程为基准而配置,从而能够直观地进行操作工艺。

Analysis

能够进行工艺数据分析

本设备能够每隔1秒将工艺进行时的压力、加热、成膜时间的当前值作为履历并按时间序列(Time      Series)记录。收集的数据以文本格式保在外部存储器中,并且能够利用计算机对保存的数据进行分析和记录。

 

 

高拓展性

本设备能够通过模块的增设,来对应更多的用途。

低真空工艺环境

本设备具备约1Pa~0.1Pa的等离子体持续放电压力范围,与传统设备相比能够在更低压力下进行溅射成膜。

多组分共溅射/多层膜溅射

本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构,从而能够进行多组分共溅射成膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。

良好的膜厚分布

本设备采用对衬底倾斜的入射方式,从而能够实现非常良好的膜厚分布。

采用LTS技术

本设备通过采用ULVAC的LTS※1技术,从而能够尽可能的抑制阴极附近的不均匀等离子体对衬底的影响。

并且,该技术还能够尽可能的抑制来自阴极磁铁磁场的影响。注)※1:LTS:Long Throw Sputter

UHV对应

本设备通过使用可加热式的各配置,使得成膜腔室的压力能够到达1×10-6Pa※2以下。

注)※2:本设备采用O-Ring Seal结构,与传统设备的金属Seal结构相比更加容易进行维护保养。

对磁性材料薄膜的对应

本设备中使用的阴极能够对应各种磁性材料(Fe、Ni、Co等)。

 

 

诸单元

型 号

QAM-4D

 

 

 

 

成膜腔室

处理方式

Load-L

ock式

阴极型式

Long Throw Magnetron Sputtering

●Helicon-Sputtering※1 ※可选

阴极数

2英寸阴极(磁性材料、非磁性材料共用)

多搭载8台

搭载电源

DC500W 1台

  • DC500W、RF300W※2   多搭载8台 ※可选

到达压力(UHV对应)

1×10-4Pa 以下 (●1×10-6Pa 以下能够对应※3 ※可选)

对应衬底尺寸

Max.φ4英寸×1枚

膜厚分布

±5%以内(Al成膜式、衬底回转并用)

衬底加热装置

  • 红外线灯式加热器 大500 ℃ ※可选
  • 高温型加热器 大800℃ ※可选

排气系统

1)分子泵

2)油旋片泵

  • 干式泵 ※可选

大气体输入量

Max.50sccmAr

●Max.10sccmO2) ※可选

  • Max.10sccmN2 ※可选

靶材尺寸

φ2英寸

 

腔体加热方式

  • 110℃烘烤 (包含腔体水冷却 ※可选

 

真空预抽室

到达压力(分子泵对应)

40Pa以下(●1×

10-3Pa 以下 ※可选)

搬送方式

真空机械手式

排气系统

油旋片泵(

  • 分子泵

与成膜室共用)

※可选

操作控制系统

排气

触屏式(PLC控制器) 远程手动※4 全自动※5

成膜

 

厂务系统

电力

3φ AC200V 50 / 60Hz

冷却水

20~28℃、电阻率5KΩ以上、 供给压力0.2 ~ 0.3MPa

压缩空气

0.5 0.7MPa

接地

A类、D类

 

 


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