MBE-MoSe2/MoS2/WS2/WSe2三角形单晶材料

西安齐岳生物供应一系列的纳米材料，供应MBE-MoSe2三角形单晶、MBE-MoS2三角形单晶、MBE-WS2三角形单晶、MBE-WSe2三角形单晶、CVD-WS2-WSe2面内异质结、CVD-多层BN薄膜、CVD-MOS2 连续薄膜、CVD-MoS2少层薄膜、CVD-单层BN薄膜、MOS2/WS2异质结、MOS2/WSe2异质结、CVD-三维镍基BN泡沫、M1相二氧化钒VO2单晶薄膜、三氧化二钒V2O3单晶薄膜、分子束外延生长MoSe2单分子膜等材料。

MBE-MoSe2/MoS2/WS2/WSe2三角形单晶材料

分子束外延生长MoSe2单分子膜。MBE是一种用于单晶质量薄膜沉积的外延方法，与化学气相沉积（CVD）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）相比，它具有较高的结晶度和较低的缺陷密度（见下面的HRTEM图像）。MoSe2单分子膜的MBE生长是在基底压力为8E-9torr的MBE室中进行的，沉积速率慢（每秒5-100个原子），以结构的。的MBE生长在双面抛光c切蓝宝石上产生单层厚MoSe2孤立三角形。目前，MBE MoSe2在蓝宝石衬底上提供，但在不久的将来，我们的MBE衬底还将包括云母、石墨和金。

相关产品；

 德国2DNext大面积机械剥离2L/3L材料(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2)尺寸>100*100um
德国2DNext大面积机械剥离2L/3L材料(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2)尺寸>75*75um
德国2DNext大面积机械剥离2L/3L材料(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2)尺寸>50*50um
基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜（8片装）
基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜（4片装）
大面积机械剥离单层材料套装(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2在同一基底上)尺寸>50*50um
Defects Engineered CVD Grown 2D layers
CVD缺陷生长二维层
Transferred CVD Grown MX2 monolayers
CVD转移生长MX2单分子膜
Exfoliated WSe2 monolayer
机械剥离单层二硒化钨薄膜
Exfoliated WS2 monolayer
机械剥离单层二硫化钨薄膜
Exfoliated ReSe2 monolayer
机械剥离单层二硒化铼薄膜
Exfoliated MoSe2 monolayer
机械剥离单层二硒化钼薄膜
Exfoliated MoS2 monolayer
机械剥离单层二硫化钼薄膜
大面积机械剥离单层材料(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2)尺寸>100*100um
大面积机械剥离单层材料(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2)尺寸>75*75um
大面积机械剥离单层材料(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2)尺寸>50*50um
定制单层二硫化钼-带电极

指南：
1.提供的产品的单价,产品规格,型号,价格条款,原产地
2.提供样品,小订货量,交货期,包装方式,质量/；
3.提供使用说明书、核磁图谱、合成路线；制备方案、合成步骤等信息请咨询客服。

温馨提醒：用于科研哦（zhn2020.05.14）