蓝宝石衬底单层二硫化钨/二硒化铂/MoS2

齐岳供应蓝宝石衬底单层二硫化钨/二硒化铂/MoS2

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2020-05-14 15:47:37
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供货周期:现货;应用领域:医疗卫生,化工,生物产业;
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西安齐岳生物科技有限公司

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产品简介

蓝宝石衬底单层二硫化钨/二硒化铂/MoS2
西安齐岳生物供应一系列的纳米材料,供应SiO2/Si衬底三层石墨烯薄膜 -Graphenea、石英衬底层石墨烯薄膜-Graphenea、石英衬底单层石墨烯薄膜-Graphenea

详细介绍

蓝宝石衬底单层二硫化钨/二硒化铂/MoS2

西安齐岳生物供应一系列的纳米材料,供应SiO2/Si衬底三层石墨烯薄膜 -Graphenea、石英衬底层石墨烯薄膜-Graphenea、石英衬底单层石墨烯薄膜-Graphenea、氧化石墨烯分散液-1g-Graphenea、氧化石墨烯分散液-4g-Graphenea氧化石墨烯分散液-40g-Graphenea、小尺寸氧化石墨烯纳米片石墨烯量子点、溶液氧化石墨烯粉末、、高导电石墨烯(1-5um)、高导电石墨烯(>50μm)、石墨烯 (0.5-3μm)、羧基化石墨烯、羟基化石墨烯、石墨烯分散液、石墨烯水性浆料、工业级石墨烯粉末。

蓝宝石衬底单层二硫化钨

包含c切蓝宝石衬底上的积覆盖WS2单分子膜。样品尺寸为1cm,整个样品表面含有单层厚的WS2薄片。合成的全区覆盖单层WS2具有很高的发光性,拉曼光谱研究也了单层的厚度

 

Sample Properties.

Sample size

1cm x 1cm square shaped

Substrate type

(0001) c-cut sapphire

Coverage

Full coverage monolayer

Electrical properties

2.0 eV Direct Bandgap Semiconductor

Crystal structure

Hexagonal Phase

Unit cell parameters

a = b = 0.312 nm, c = 1.230 nm, α = β = 90, γ = 120°

Production method

Low pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)

Characterization methods

Raman, photoluminescence, TEM, EDS

蓝宝石衬底单层二硫化钨/二硒化铂/MoS2产品列表

基于蓝宝石衬底的三角形单层二硫化钨
Monolayer WS2 Triangles on c-cut Sapphire
基于二氧化硅衬底的三角形单层二硫化钼
Monolayer MoS2 Triangles on SiO2/Si substrates
基于蓝宝石衬底的三角形单层二硫化钼
Monolayer MoS2 Triangles on c-cut Sapphire
基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的少层二硒化铂
Full Area Coverage PtSe2 layers on c-cut Sapphire
基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的少层二硒化铂
Full Area Cove
基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硒化钨
Full Area Cove
基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硫化钨
Full Area Coverage Monolayer WS2 on c-cut Sapphire
基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硒化锡
Full Area Coverage Monolayer SnSe2 on c-cut Sapphire
基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硫化锡
Full Area Coverage Monolayer SnS2 on c-cut Sapphire
基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硒化铼
Full Area Coverage Monolayer ReSe2 on c-cut Sapphire
基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硫化铼
Full Area Coverage Monolayer ReS2 on c-cut Sapphire
基于二氧化硅衬底的全区域覆盖的单层二硫化钼
Full Area Coverage Monolayer MoS2 on SiO2/Si
基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硫化钼
Full Area Coverage Monolayer MoS2 on c-cut Sapphire

温馨提醒:用于科研哦(zhn2020.05.14)

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