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MoTe2 SiO2/Si基底二碲化钼| Ta2NiS5 晶体
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MoTe2 SiO2/Si基底二碲化钼| Ta2NiS5 晶体
晶体大小: | 5~10 mm |
晶体种类: | 红外半导体,拓扑材料 |
纯度: | >99.999 % |
表征方法: | EDS,SEM,Raman |
禁带宽度: | 1 eV |
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