Bi2Te3 碲化铋晶体粉末(10mm*10mm)纯度99

产品描述：

碲化铋

分子式：Bi2Te3

分子量：800.76

规　格：99.99%，

外观与性质：灰色的粉末

主要用途：主要用于半导体，光电器件及温差半导体致冷，温差发电，Bi2Te3薄膜。

Bi2Te3 碲化铋晶体粉末(10mm*10mm)纯度99

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Bi2Se3 硒化铋 孤立晶粒
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Bi2Te3 碲化铋(10mm*10mm)
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ReS2 二硫化铼 蓝宝石基底二硫化铼(10mm*10mm)
ReSe2 二硒化铼 蓝宝石基底二硒化铼(10mm*10mm)
SnS2 二硫化锡 蓝宝石基底二硫化锡(10mm*10mm)
SnSe2 二硒化锡 蓝宝石基底SnSe2薄膜(10mm*10mm)
Ta2NiS5 晶体
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二硒化钯 PdSe2 SiO2/Si基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化钯 PdSe2 蓝宝石基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化钯 PdSe2 石英基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化钯 PdSe2 石英基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化铂 PtSe2 石英基底PtSe2(10mm*10mm)

铜基单层氮化硼薄膜
SiO2/Si衬底单层氮化硼薄膜
一步转移法单层氮化硼薄膜
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CVD-WSe2 全覆盖连续薄膜
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MBE-MoS2三角形单晶
MBE-WS2三角形单晶
MBE-WSe2三角形单晶
ALD-GaSe薄膜样品
ALD-GaTe薄膜样品
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CVD-MoSe2 单层薄膜（）
ALD-GaS薄膜样品
ALD-Vdw薄膜样品
CVD-PdSe2薄膜
CVD-PdS2薄膜
CVD-MoSe2多层薄膜
CVD-WS2多层薄膜
CVD-MoS2多层薄膜转移的CVD类石墨烯
CVD-GaSe三角形晶体CVD-GaSe三角形单晶

温馨提醒：用于科研哦（zhn2020.05.14）