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MDPmap被设计成一个紧凑的台式非接触电学表征工具,用于离线生产控制或研发,在稳态或短脉冲激励(μ-PCD)下,在一个宽的注入范围内测量参数,如载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息。自动化的样品识别和参数设置允许轻松适应各种不同的样品,包括外延层和经过不同制备阶段的晶圆,从原生晶圆到高达95%的金属化晶圆。
产品介绍:
MDPmap:
单晶和多晶硅片寿命测量设备用于复杂的材料研究和开发。
特点:
◇ 灵敏度:高的灵敏度,用于可视化迄今为止不可见的缺陷和调查外延层的情况
◇ 测量速度:6英寸硅片<5min,分辨率为1mm
◇ 寿命范围:20ns到几十ms
◇ 污染测定:源于坩埚和设备的金属(铁)污染
◇ 测量能力:从切割好的硅片到加工的样品
◇ 灵活性:固定的测量头可以与外部激光器连接并触发
◇ 可靠性:模块化和紧凑型台式仪器,可靠性更高,正常运行时间>99%
◇ 重复性:> 99%
◇ 电阻率:电阻率测绘,无需频繁校准
技术规格:
MDPmap 测量案例:
碳化硅外延片(>10μm)-少数载流子寿命mapping图(平均寿命τ=0.36μs)
高阻硅片(>10000Ω·cm)-少数载流子寿命mapping图
非钝化硅外延片(20μm)-少数载流子寿命mapping图
MDPmap 应用:
铁浓度测定
铁的浓度的精确测定是非常重要的,因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此,有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度,具有非常高的分辨率且**是在线的
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