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简介:
C60-20S 离子源系统是一种高性能离子束,设计用于溅射表面,具有较小的损伤和减少的沿周溅射效应。
C60-20S 离子源系统在高达20 kV的电压下工作,可有效地溅射材料,且损伤较小,无需重新沉积碳。
C60是XPS、AES和SIMS的理想升级组件,可在多种材料上均匀溅射。
主要参数:
主要应用 | 溅射 |
光斑尺寸 | 100 µm |
扫描范围 | 4 x 4 mm |
能耗范围 | 5 – 20 kV |
电流范围 | 50 nA |
法兰至机头长度 | 142 mm |
推荐工作距离 | 50 mm |
电源装置 | 3U x 19’’ rack mountable unit |
电源要求 | 110-240VAC 13A 50/60Hz |
软件要求 | PC running Windows 10 or later |
集成法兰规格 | NW 63 CF |
特点:
◇ 电流密度高,蚀刻速度更快;
◇ 与单原子束相比,可减少化学损伤;
◇ 不同材料和晶体取向的溅射率一致;
◇ 闸阀,便于快速维修;
◇ 源寿命长;
应用领域:
◇ 聚合物的高速、低化学损伤蚀刻;
◇ C60离子溅射的速度比单原子束(包括氩和氙)快50倍,同时 对底层材料造成的损害要小得多;
◇ 下图比较了15kev的C60溅射产率与15kev金、氙镓和氩的TRIM数据。在相反的例子中,用C60和单原子氩离子束溅 射清洗PTFE薄膜;
◇ 虽然两种离子束都去除了表面污染,但只有C60离子束的表 面化学性质没有发生变化;