EBIC Amplifier
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EBIC-RCIEBIC Amplifier

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2024-12-24 18:49:25
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上海溪拓科学仪器有限公司

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产品简介

EBIC Amplifier用于对半导体样品,器件,微纳结构可进行EBIC,EBAC,RCI,EBIV和EBIRCH分析。通过MM3A/MM4将探针精确定位到探测位置,信号通过弱电流测量屏蔽套件(LCMK)传输到SEM/FIB视频输入端,并通过SEM/FIB成像。

详细介绍

EBIC Amplifier用于对半导体样品,器件,微纳结构可进行EBIC,EBAC,RCI,EBIV和EBIRCH分析。通过MM3A/MM4将探针精确定位到探测位置,信号通过弱电流测量屏蔽套件(LCMK)传输到SEM/FIB视频输入端,并通过SEM/FIB成像。


配置


EBIC Amplifier应用领域:


技术参数:



前道工序(front-end-of-line FEOL)中微缩晶体管,以及在中间工序(Middle-of-lineMOL)和后道工序(back-end-of-lineBEOL)中改进触点和连线则变得越来越困难。

 

FEOL涵盖了芯片有源部分的加工,即位于芯片底部的晶体管。晶体管作为电气开关,使用三个电极进行操作:栅极、源极和漏极。源极和漏极之间的导电通道中的电流可以被,这一操作由栅极电压控制。

 

BEOL是加工的最后阶段,指的是位于芯片顶部的互连。互连是复杂的布线方案,它分配时钟和其他信号,提供电源和地,并将电信号从一个晶体管传输到另一个晶体管。BEOL由不同的金属层、局部(Mx)、中间线、半全局线和全局线组成。总层数可以多达15层,而Mx层的典型数量在3~6层之间。这些层中的每层都包含(单向)金属线(组织在规则的轨道中)和介电材料。它们通过填充有金属的通孔结构垂直互连。

 

FEOLBEOLMOL联系在一起。MOL通常由微小的金属结构组成,作为晶体管的源极、漏极和栅极的触点。这些结构连接到BEOL的局部互连层。虽然单元尺寸在微缩,但要连接到的引脚数量大致不变,意味着接触它们的难度更大。


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