其他品牌 品牌
经销商厂商性质
上海市所在地
备品备件WENGLOR 放大器301251104
面议备品备件GEMU 554 50D 1 9 51 1
面议备品备件BERNSTEIN SRF-2/1/1-E-H
面议备品备件N813.4ANE KNF
面议QY-1044.0013 泵 SPECK备品备件
面议NT 63-K-MS-M3/1120 备品备件
面议VECTOR 备品备件CANAPE
面议VECTOR VN1670 备品备件
面议CBX09.1152/JV/PA staubli 备品备件
面议SECOMP 21.99.8760 光缆备品备件
面议AECABLE 2Y EVA 备品备件 VECTOR
面议9900015.1 OPTRON 备品备件
面议
德国MICROSONIC STG4/M12 50060 0.795423906
德国MICROSONIC mic+35/DIU/TC/E 0.812335822
德国MICROSONIC crm+340/DD/TC/E 29410 0.5113068
德国MICROSONIC pico-usd 25/4/CD/S/HV/M18E 0.115272082
德国MICROSONIC esp-4/3CDD/M18 E+S 0.109638384
德国MICROSONIC zws-25/CD/QS 0.871120666
德国MICROSONIC esf-1/CDF 0.406131971
德国MICROSONIC LCA-2 0.891886329
德国MICROSONIC vnp-35/IU/TC 24220 0.597080715
德国MICROSONIC STG4/M12 0.826823452
德国MICROSONIC pico-usb-25 0.531685446
德国MICROSONIC zws-24/CD/QS 0.595278024
德国MICROSONIC pico+100/F 0.262206127
德国MICROSONIC lpc-25/CDD/M18 0.405661085
德国MICROSONIC pico-usb 25/CD/40V/M18 0.912711696
德国MICROSONIC dbk+4/M18/3BEE/M18 E+S 16670 德国MICROSONIC 0.82779416
德国MICROSONIC dbk-4/Empf/BEE/ KU0,6 0.638437022
Micro Innovation XV-440-10TVB-1-10 触摸屏
MICRO INNOVATION XV-430-10TVB-1-10+LIC-OS-CE50-C+OS-FLASH-A1-C 触摸屏
MICRO INNOVATION COM-PDP-TP,8512000008 通讯卡
Micro Innovation AG XV-442-57CQB-1-10 触摸屏
Micro Innovation AG XN-2AI-I(0/4...20MA) 输入模块
Micro Innovation AG XV-252-57MPN-1-10 显示屏
Micro sonic mic+130/IU/TC/E Ultraschallsensor M30 超声波传感器
MicroDetectors BX80A/1P-2H 光电传感器
MicroDetectors BX80S/10-2H 光电传感器
microelettrica IM30-B00 保护继电器
Micro-Epsilon WDS-2500-P96-CR3-P 编码器
Micro-Epsilon WDS-300-P60-SR-U 传感器
Micro-Epsilon WDS-1000-P60-SR-I 传感器
Micro-Epsilon 10040036 CLS-K-65 传感器
Micro-Epsilon PC1700-3 with cable plug 电缆
Micro-Epsilon PC1100-3 电缆
Micro-Epsilon ILR 1181-30 (01) 感应传感器
Micro-Epsilon 10814347 FAD-T-R1.1-3x0,5-295-67° 接头电缆
Micro-Epsilon 10813495 FAD-T-S-3,5x1,5-295-67° 接头电缆
Micro-Epsilon 10814352 FAD-T-R2.1-6x1-295-67° 接头电缆
Micro-Epsilon S2 屏蔽传感器
Micro-Epsilon 0mm~1000mm WDS-1000-P60-SR-I 位移传感器
Micro-Epsilon 0mm��1000mm WDS-1000-P60-SR-I 位移传感器
Micro-Epsilon optoNCDT1700 oder no.ILD1700-250VT 位移传感器
Micro-Epsilon 0mm ~1000mm,WDS-1000-P60-SR-I 位移传感器
Micro-Epsilon WDS-500-P60-SRU 位移传感器
Micro-Epsilon WDS-300-P60-SRU 位移传感器
Micro-Epsilon WDS-1000-P60-CR-P 位移传感器
Micro-Epsilon ILD1700-20 位移传感器
Micro-Epsilon ILD1700-50 位移传感器
Micro-Epsilon WDS-2500-Z100-CA-P 位移传感器
Micro-Epsilon 0mm~1000mm,WDS-1000-P60-SR-I 位移传感器
Micro-Epsilon 0mm~1500mm,WDS-1500-P60-SR-I 位移传感器
Micro-Epsilon eddyDT3010-A 信号调节传感器
Micro-Epsilon Messtechnik GmbH & Co. KG WDS-2500-P85-M-SO 编码器
Micro-Epsilon Messtechnik GmbH & Co. KG ILD1402-100 传感器
Micro-Epsilon Messtechnik GmbH & Co. KG WDS-5000-P115-M-S0 传感器
Micro-Epsilon Messtechnik GmbH & Co. KG PCI1402-3/I 4-20MA 电缆
Micro-Epsilon Messtechnik GmbH & Co. KG 2625074 WDS-1000-MPW-C-P Seilzug-Wegsensor 位移传感器
Micro-Epsilon Messtechnik GmbH & Co. KG 2964003 WE-2500-M4 Seilverlangerung 2500 mm lang 位移传感器零件
Micro-Epsilon Messtechnik GmbH & Co. KG 2984002 WDS-Option C3 位移传感器零件
Micro-Epsilon Messtechnik GmbH & Co. KG 2964014 TR3-WDS Seilumlenkrolle für Seilzug-Wegsensoren 位移传感器零件
suco 0194-47503-1-003 压力开关
suco 0194-47503-1-003 压力开关
suco 0195 460 03 1 003 55BAR G1/4 SUCO V11 956003 压力开关
suco 0196-457-03-003 压力开关
MEN 01A012B00 CPU卡
MEN 01A015B00 基板
MEN 01A015B00 基板
MEN 01A015B00 基板
MEN 01A015B00 总线模块
MEN 01A015B00 总线模块
MEN 01A015C02 CPU卡
M&C 01A1000 气体分析仪
MEN 01A201S12 CPU通讯扩展卡
MEN 01A201S12 基板
MEN 01A201S12 基板
MEN 01A201S12 基板
MEN 01A201S12 通讯模块
MEN 01A201S12 总线模块
MEN 01A201S12 总线模块
M&C 01A9150 分析仪附件
M&C 01A9155 分析仪附件
M&C 01A9156 分析仪附件
M&C 01B4034W PSP 4M 4/6-W A nschluss Typ I 插头
M&C 01B4037W PSP 4M 4/6-W A bschluss Typ K 插座
M&C 01B8240 温控器
INTERNORMEN 01E.900.3VG.HR.E.P.- 过滤器
M&C 01G9035 传感器
M&C 01G9035 传感器
角度位移传感器:
角度位移传感器应用于障碍处理:使用角度传感器来控制你的轮子可以间接的发现障碍物。原理非常简单:如果马达角度传感器构造运转,而齿轮不转,说明你的机器已经被障碍物给挡住了。此技术使用起来非常简单,而且非常有效;要求就是运动的轮子不能在地板上打滑(或者说打滑次数太多),否则你将无法检测到障碍物。一个空转的齿轮连接到马达上就可以避免这个问题,这个轮子不是由马达驱动而是通过装置的运动带动它:在驱动轮旋转的过程中,如果惰轮停止了,说明你碰到障碍物了。
折叠根据材质
霍耳式位移传感器:它的测量原理是保持霍耳元件(见半导体磁敏元件)的激励电流不变,并使其在一个梯度均匀的磁场中移动,则所移动的位移正比于输出的霍耳电势。磁场梯度越大,灵敏度越高;梯度变化越均匀,霍耳电势与位移的关系越接近于线性。图2中是三种产生梯度磁场的磁系统:a系统的线性范围窄,位移Z=0时,霍耳电势≠0;b系统当Z<2毫米时具有良好的线性,Z=0时,霍耳电势=0;c系统的灵敏度高,测量范围小于1毫米。图中N、S分别表示正、负磁极。霍耳式位移传感器的惯性小、频响高、工作可靠、寿命长,因此常用于将各种非电量转换成位移后再进行测量的场合。
光电式位移传感器:它根据被测对象阻挡光通量的多少来测量对象的位移或几何尺寸。特点是属于非接触式测量,并可进行连续测量。光电式位移传感器常用于连续测量线材直径或在带材边缘位置控制系统中用作边缘位置传感器。
折叠编辑本段型号特性
导电塑料位移传感器:
用特殊工艺将DAP(邻苯二甲酸二稀丙脂)电阻浆料覆在绝缘机体上,加热聚合成电阻膜,或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是:平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性*、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、、飞机雷达天线的伺服系统等。
绕线位移传感器:是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体,并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电 阻小,精度高,温度系数小,其缺点是分辨力差,阻值偏低,高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。
金属玻璃铀位移传感器:
用丝网印刷法按照一定图形,将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上,经高温烧结而成。特点是:阻值范围宽,耐热性好,过载能力强,耐潮,耐磨等都很好,是很有前途的电位器品种,缺点是接触电阻和电流噪声大。
金属膜位移传感器:
金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辨力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。
磁敏式位移传感器:
消除了机械接触,寿命长、可靠性高,缺点:对工作环境要求较高.
光电式位移传感器:
消除了机械接触,寿命长、可靠性高,缺点:数字信号输出,处理烦琐。
磁致伸缩式位移传感器:
磁致伸缩位移(液位)传感器,通过内部非接触式的测控技术精确地检测活动磁环的位置来测量被检测产品的实际位移值的。
数字激光位移传感器:
激光位移传感器可精确非接触测量被测物体的位置、位移等变化,主要应用于检测物的位移、厚度、振动、距离、直径等几何量的测量。
按照测量原理,激光位移传感器原理分为激光三角测量法和激光回波分析法,激光三角测量法一般适用于高精度、短距离的测量,而激光回波分析法则用于远距离测量。
激光发射器通过镜头将可见红色激光射向被测物体表面,经物体反射的激光通过接收器镜头,被内部的CCD线性相机接收,根据不同的距离,CCD线性相机可以在不同的角度下"看见"这个光点。根据这个角度及已知的激光和相机之间的距离,数字信号处理器就能计算出传感器和被测物体之间的距离。同时,光束在接收元件的位置通过模拟和数字电路处理,并通过微处理器分析,计算出相应的输出值,并在用户设定的模拟量窗口内,按比例输出标准数据信号。如果使用开关量输出,则在设定的窗口内导通,窗口之外截止。另外,模拟量与开关量输出可独立设置检测窗口。
激光位移传感器采用回波分析原理来测量距离以达到一定程度的精度。传感器内部是由处理器单元、回波处理单元、激光发射器、激光接收器等部分组成。激光位移传感器通过激光发射器每秒发射一百万个激光脉冲到检测物并返回至接收器,处理器计算激光脉冲遇到检测物并返回至接收器所需的时间,以此计算出距离值,该输出值是将上千次的测量结果进行的平均输出。激光回波分析法适合于长距离检测,但测量精度相对于激光三角测量法要低。
角度位移传感器:
角度位移传感器应用于障碍处理:使用角度传感器来控制你的轮子可以间接的发现障碍物。原理非常简单:如果马达角度传感器构造运转,而齿轮不转,说明你的机器已经被障碍物给挡住了。此技术使用起来非常简单,而且非常有效;要求就是运动的轮子不能在地板上打滑(或者说打滑次数太多),否则你将无法检测到障碍物。一个空转的齿轮连接到马达上就可以避免这个问题,这个轮子不是由马达驱动而是通过装置的运动带动它:在驱动轮旋转的过程中,如果惰轮停止了,说明你碰到障碍物了。
折叠根据材质
霍耳式位移传感器:它的测量原理是保持霍耳元件(见半导体磁敏元件)的激励电流不变,并使其在一个梯度均匀的磁场中移动,则所移动的位移正比于输出的霍耳电势。磁场梯度越大,灵敏度越高;梯度变化越均匀,霍耳电势与位移的关系越接近于线性。图2中是三种产生梯度磁场的磁系统:a系统的线性范围窄,位移Z=0时,霍耳电势≠0;b系统当Z<2毫米时具有良好的线性,Z=0时,霍耳电势=0;c系统的灵敏度高,测量范围小于1毫米。图中N、S分别表示正、负磁极。霍耳式位移传感器的惯性小、频响高、工作可靠、寿命长,因此常用于将各种非电量转换成位移后再进行测量的场合。
光电式位移传感器:它根据被测对象阻挡光通量的多少来测量对象的位移或几何尺寸。特点是属于非接触式测量,并可进行连续测量。光电式位移传感器常用于连续测量线材直径或在带材边缘位置控制系统中用作边缘位置传感器。
折叠编辑本段型号特性
导电塑料位移传感器:
用特殊工艺将DAP(邻苯二甲酸二稀丙脂)电阻浆料覆在绝缘机体上,加热聚合成电阻膜,或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是:平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性*、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、、飞机雷达天线的伺服系统等。
绕线位移传感器:是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体,并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电 阻小,精度高,温度系数小,其缺点是分辨力差,阻值偏低,高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。
金属玻璃铀位移传感器:
用丝网印刷法按照一定图形,将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上,经高温烧结而成。特点是:阻值范围宽,耐热性好,过载能力强,耐潮,耐磨等都很好,是很有前途的电位器品种,缺点是接触电阻和电流噪声大。
金属膜位移传感器:
金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辨力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。
磁敏式位移传感器:
消除了机械接触,寿命长、可靠性高,缺点:对工作环境要求较高.
光电式位移传感器:
消除了机械接触,寿命长、可靠性高,缺点:数字信号输出,处理烦琐。
磁致伸缩式位移传感器:
磁致伸缩位移(液位)传感器,通过内部非接触式的测控技术精确地检测活动磁环的位置来测量被检测产品的实际位移值的。
数字激光位移传感器:
激光位移传感器可精确非接触测量被测物体的位置、位移等变化,主要应用于检测物的位移、厚度、振动、距离、直径等几何量的测量。
按照测量原理,激光位移传感器原理分为激光三角测量法和激光回波分析法,激光三角测量法一般适用于高精度、短距离的测量,而激光回波分析法则用于远距离测量。
激光发射器通过镜头将可见红色激光射向被测物体表面,经物体反射的激光通过接收器镜头,被内部的CCD线性相机接收,根据不同的距离,CCD线性相机可以在不同的角度下"看见"这个光点。根据这个角度及已知的激光和相机之间的距离,数字信号处理器就能计算出传感器和被测物体之间的距离。同时,光束在接收元件的位置通过模拟和数字电路处理,并通过微处理器分析,计算出相应的输出值,并在用户设定的模拟量窗口内,按比例输出标准数据信号。如果使用开关量输出,则在设定的窗口内导通,窗口之外截止。另外,模拟量与开关量输出可独立设置检测窗口。
激光位移传感器采用回波分析原理来测量距离以达到一定程度的精度。传感器内部是由处理器单元、回波处理单元、激光发射器、激光接收器等部分组成。激光位移传感器通过激光发射器每秒发射一百万个激光脉冲到检测物并返回至接收器,处理器计算激光脉冲遇到检测物并返回至接收器所需的时间,以此计算出距离值,该输出值是将上千次的测量结果进行的平均输出。激光回波分析法适合于长距离检测,但测量精度相对于激光三角测量法要低。
角度位移传感器:
角度位移传感器应用于障碍处理:使用角度传感器来控制你的轮子可以间接的发现障碍物。原理非常简单:如果马达角度传感器构造运转,而齿轮不转,说明你的机器已经被障碍物给挡住了。此技术使用起来非常简单,而且非常有效;要求就是运动的轮子不能在地板上打滑(或者说打滑次数太多),否则你将无法检测到障碍物。一个空转的齿轮连接到马达上就可以避免这个问题,这个轮子不是由马达驱动而是通过装置的运动带动它:在驱动轮旋转的过程中,如果惰轮停止了,说明你碰到障碍物了。
折叠根据材质
霍耳式位移传感器:它的测量原理是保持霍耳元件(见半导体磁敏元件)的激励电流不变,并使其在一个梯度均匀的磁场中移动,则所移动的位移正比于输出的霍耳电势。磁场梯度越大,灵敏度越高;梯度变化越均匀,霍耳电势与位移的关系越接近于线性。图2中是三种产生梯度磁场的磁系统:a系统的线性范围窄,位移Z=0时,霍耳电势≠0;b系统当Z<2毫米时具有良好的线性,Z=0时,霍耳电势=0;c系统的灵敏度高,测量范围小于1毫米。图中N、S分别表示正、负磁极。霍耳式位移传感器的惯性小、频响高、工作可靠、寿命长,因此常用于将各种非电量转换成位移后再进行测量的场合。
光电式位移传感器:它根据被测对象阻挡光通量的多少来测量对象的位移或几何尺寸。特点是属于非接触式测量,并可进行连续测量。光电式位移传感器常用于连续测量线材直径或在带材边缘位置控制系统中用作边缘位置传感器。
折叠编辑本段型号特性
导电塑料位移传感器:
用特殊工艺将DAP(邻苯二甲酸二稀丙脂)电阻浆料覆在绝缘机体上,加热聚合成电阻膜,或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是:平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性*、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、、飞机雷达天线的伺服系统等。
绕线位移传感器:是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体,并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电 阻小,精度高,温度系数小,其缺点是分辨力差,阻值偏低,高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。
金属玻璃铀位移传感器:
用丝网印刷法按照一定图形,将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上,经高温烧结而成。特点是:阻值范围宽,耐热性好,过载能力强,耐潮,耐磨等都很好,是很有前途的电位器品种,缺点是接触电阻和电流噪声大。
金属膜位移传感器:
金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辨力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。
磁敏式位移传感器:
消除了机械接触,寿命长、可靠性高,缺点:对工作环境要求较高.
光电式位移传感器:
消除了机械接触,寿命长、可靠性高,缺点:数字信号输出,处理烦琐。
磁致伸缩式位移传感器:
磁致伸缩位移(液位)传感器,通过内部非接触式的测控技术精确地检测活动磁环的位置来测量被检测产品的实际位移值的。
数字激光位移传感器:
激光位移传感器可精确非接触测量被测物体的位置、位移等变化,主要应用于检测物的位移、厚度、振动、距离、直径等几何量的测量。
按照测量原理,激光位移传感器原理分为激光三角测量法和激光回波分析法,激光三角测量法一般适用于高精度、短距离的测量,而激光回波分析法则用于远距离测量。
激光发射器通过镜头将可见红色激光射向被测物体表面,经物体反射的激光通过接收器镜头,被内部的CCD线性相机接收,根据不同的距离,CCD线性相机可以在不同的角度下"看见"这个光点。根据这个角度及已知的激光和相机之间的距离,数字信号处理器就能计算出传感器和被测物体之间的距离。同时,光束在接收元件的位置通过模拟和数字电路处理,并通过微处理器分析,计算出相应的输出值,并在用户设定的模拟量窗口内,按比例输出标准数据信号。如果使用开关量输出,则在设定的窗口内导通,窗口之外截止。另外,模拟量与开关量输出可独立设置检测窗口。
激光位移传感器采用回波分析原理来测量距离以达到一定程度的精度。传感器内部是由处理器单元、回波处理单元、激光发射器、激光接收器等部分组成。激光位移传感器通过激光发射器每秒发射一百万个激光脉冲到检测物并返回至接收器,处理器计算激光脉冲遇到检测物并返回至接收器所需的时间,以此计算出距离值,该输出值是将上千次的测量结果进行的平均输出。激光回波分析法适合于长距离检测,但测量精度相对于激光三角测量法要低。
角度位移传感器:
角度位移传感器应用于障碍处理:使用角度传感器来控制你的轮子可以间接的发现障碍物。原理非常简单:如果马达角度传感器构造运转,而齿轮不转,说明你的机器已经被障碍物给挡住了。此技术使用起来非常简单,而且非常有效;要求就是运动的轮子不能在地板上打滑(或者说打滑次数太多),否则你将无法检测到障碍物。一个空转的齿轮连接到马达上就可以避免这个问题,这个轮子不是由马达驱动而是通过装置的运动带动它:在驱动轮旋转的过程中,如果惰轮停止了,说明你碰到障碍物了。
折叠根据材质
霍耳式位移传感器:它的测量原理是保持霍耳元件(见半导体磁敏元件)的激励电流不变,并使其在一个梯度均匀的磁场中移动,则所移动的位移正比于输出的霍耳电势。磁场梯度越大,灵敏度越高;梯度变化越均匀,霍耳电势与位移的关系越接近于线性。图2中是三种产生梯度磁场的磁系统:a系统的线性范围窄,位移Z=0时,霍耳电势≠0;b系统当Z<2毫米时具有良好的线性,Z=0时,霍耳电势=0;c系统的灵敏度高,测量范围小于1毫米。图中N、S分别表示正、负磁极。霍耳式位移传感器的惯性小、频响高、工作可靠、寿命长,因此常用于将各种非电量转换成位移后再进行测量的场合。
光电式位移传感器:它根据被测对象阻挡光通量的多少来测量对象的位移或几何尺寸。特点是属于非接触式测量,并可进行连续测量。光电式位移传感器常用于连续测量线材直径或在带材边缘位置控制系统中用作边缘位置传感器。
折叠编辑本段型号特性
导电塑料位移传感器:
用特殊工艺将DAP(邻苯二甲酸二稀丙脂)电阻浆料覆在绝缘机体上,加热聚合成电阻膜,或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是:平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性*、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、、飞机雷达天线的伺服系统等。
绕线位移传感器:是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体,并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电 阻小,精度高,温度系数小,其缺点是分辨力差,阻值偏低,高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。
金属玻璃铀位移传感器:
用丝网印刷法按照一定图形,将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上,经高温烧结而成。特点是:阻值范围宽,耐热性好,过载能力强,耐潮,耐磨等都很好,是很有前途的电位器品种,缺点是接触电阻和电流噪声大。
金属膜位移传感器:
金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辨力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。
磁敏式位移传感器: