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简介：锗（Ge）主要制作半导体器件、红外光学器件以及太阳能电池衬底等材料。
性能及参数 | |||
生长方法 | 提拉法 | ||
晶体结构 | 立方 | ||
晶格常数 | a=5.65754 Å | ||
颜色及外观 | 灰白色 | ||
密度 | 5.323g/cm3 | ||
熔点 | 937.4℃ | ||
莫氏硬度 | 4mohs | ||
掺杂物质 | 不掺杂 | 掺Sb | 掺In或Ga |
类型 | / | N | P |
电阻率 | ＞35Ω㎝ | 0.05Ω㎝ | 0.05～0.1Ω㎝ |
EPD | ＜4×103/cm2 | ＜4×103/cm2 | ＜4×103/cm2 |
晶向 | <100>、<110>、<111> | ||
晶面定向精度 | ±0.5° | ||
边缘定向精度 | ±1° | ||
斜切晶片 | 可按照客户需求，定制特殊方向 | ||
尺寸（可按照客户需求，定制特殊尺寸） | 10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm、15×15×0.5mm等 | ||
dia1″×0.5mm、dia2″×0.5mm等 | |||
抛光 | 单面抛光、双面抛光等 | ||
表面粗糙度 | ＜5 Å | ||
包装 | 1000级超级净室100级超净袋或单片晶盒封装 | ||
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