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一、设备特点
碳纳米膜制备设备由气体质量流量计控制系统、液体注液系统、多段温度可控多区生长系统、水冷却系统、碳纳米线或膜收集系统，红外烘干系统等组成。生长炉的最高温度1400℃，并可在0-1400℃之间连续可调，垂直式分布热场，三点控温(三段长度平均分配)，设备顶部设有注液口、导流器。炉体采用双层壳体结构并带有风冷系统，保温材料为加厚型，壳体表面温度小于60℃。采用高纯氧化铝管作为炉膛材料，加热元件为优质硅碳棒。测温采用适用于高温环境的“S”型热电偶，直接和式样接触，以提高控温的精确性。本款碳纳米管或膜CVD设备可以实现连续生长不间断的特点。
二、技术参数
| 型号 | LFT1400C 800D802Z |
| 额定功率 | 20KW（参考） |
| 额定电压 | AC220V 50/60HZ |
| 最高温度 | 1400℃ |
| 额定温度 | 1300℃ |
| 推荐升温速率 | 200℃以下≤5℃/min，200-1400℃以下≤10℃/min，1400℃到1600℃≤5℃/min |
| 炉管尺寸 （可根据客户要求订制） | Φ80× 1400mm（刚玉管） |
| 控温精度 | ±1℃ |
| 极限真空度（选件） | 1.0×10-3Pa（机械泵+分子泵） |
| 加热元件 | 硅碳棒 |
| 重量 | 230KG（参考） |
