一、结构简介

碳纳米膜制备设备如图所示，由气体质量流量计控制系统、液体注液系统、多段温度可控多区生长系统、水冷却系统、碳纳米线或膜收集系统，红外烘干系统等组成。生长炉的最高温度1400℃，并可在0-1400℃之间连续可调，垂直式分布热场，三点控温(三段长度平均分配)，设备顶部设有注液口、导流器。炉体采用双层壳体结构并带有风冷系统，保温材料为加厚型，壳体表面温度小于60℃。采用高纯氧化铝管作为炉膛材料，加热元件为优质硅碳棒。本款碳纳米管或膜CVD设备可以实现连续生长不间断的特点。

二、性能参数