简介：掺铌钛酸锶（Nb:SiTiO₃）单晶不仅与钛酸锶有相似的结构，还有电导性。它的电阻率随着掺铌浓度（0.1～0.001wt%）在0.1～0.001W-cm之间变化，传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。

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