FEI/赛默飞 品牌
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| 新一代 Thermo Scientific Helios 5 DualBeam 具有 Helios DualBeam 显微镜产品系列领xian业界的高性能电子显微镜成像和分析性能。它经过精心设计，可满足材料科学研究人员和工程师对各种聚焦离子束扫描电子显微镜 (FIB-SEM) 的需求 - 即使是zui ju 挑战性的样品。 | |
 | Helios 5 DualBeam 重新定义了 高分辨率成像的标准：高材料对比度、快速、简单和精确的高质量S/TEM样品制备和APT样品制备，以及高质量的亚表面和 3D 表征。新一代 Helios 5 DualBeam 在 Helios DualBeam 系列成熟功能的基础上改进优化，旨在确保系统于手动或自动工作流程下的最佳运行状态。这些改进包括：
● 更易于使用：Helios 5 DualBeam 是不同经验用户最易使用的 DualBeam。操作员培训可以从几个月缩短到几天，系统设计可帮助所有操作员在各种高级应用程序上实现一致、可重复的结果。 ● 提高了生产率：Helios 5 DualBeam 和 Thermo Scientific AutoTEM 5 软件的高级自动化功能、增强的稳固性和稳定性允许无人照看甚至夜间操作，显著提高了样品制备通量。 ● 缩短出结果的时间：Helios 5 DualBeam 现在包括新调整图像方法 FLASH。对于传统的显微镜来说，每次操作员需要获取图像时，必须通过迭代对中仔细调整显微镜。使用 Helios 5 DualBeam 时，通过屏幕上的简单手势即可激活 FLASH，从而自动调整这些参数。自动调整可以显着提高通量、数据质量并简化高质量图像的采集。 |
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Thermo Scientific Helios 5 DualBeam 是行业领ling的 Helios DualBeam 系列的第五代产品之一。本款产品经精心设计，可满足科学家和工程师的需求，它将具有极gao分辨率成像和高材料对比度的创新性 Elstar 电子柱与可进行快速、简单、精确的高质量样品制备的出色的 Thermo Scientific Tomahawk 离子柱加以结合。除了先进的电子和离子光学系统，Helios 5 DualBeam 还采用了一套最xian进的技术，能够实现简单、一致的高分辨率 (S)/TEM 和原子探针断层扫描 (APT) 样品制备，还能够为zui ju挑战性的样品提供高质量的亚表面和 3D 表征。
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| Helois 5 双光束平台持续为最xian进的半导体的失效分 析实验室、工艺开发实验室和流程控制实验室提供样 品成像、分析和S/TEM样品制备的应用服务。 核心产品优势 ● 高性能的Elstar电子束镜筒结合UC+单色器的技术， 实现了亚纳米级的SEM 和S/TEM图像分辨率 ● 杰出的低kV Phoenix离子束性能使TEM样品制备时可以达到只有亚纳米级的 损伤 ● 可以通过多达5个集成束内和透镜下探测器获得清晰的、精细的、免费的 对比图像 ● MultiChem气体输送系统为在双光束平台下电子和离子束诱导沉积和刻蚀 提供了最xian进的技术支持。 ● EasyLift EX 纳米操 作手能够精确的、定点的制备超薄TEM薄片，同时提高 了用户的信任度和产量 ● STEM 4 探测器在TEM薄片样品上提供了出色的分辨率和对比度 ● 来自Thermo Fisher Scientific 在双光束应用内失效分析领域内的世jie级 的专业知识的支持
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图1. TEM 样品制备使用了Thermo Scientific的iFAST自动 化软件包，并用 EasyLift的纳米机械臂完成了提取。 |
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图2. 14纳米SRAM逆变器减薄 到15纳米 的HRSTEM光场图像 展示了与金属栅练 级的nFET和pFET的结构 |
高质量样品制备使用高通量 Thermo Scientific Tomahawk 离子镜筒或具有无人可比低电压性能的 Thermo Scientific Phoenix 离子镜筒为 S/TEM 和 APT 分析制备自定义样品。
| 全自动使用可选配的 AutoTEM 5 软件进行快速、简单、 全自动、无人值守的多现场原位和非原位 TEM 样品制备以及交叉切片。
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以最短时间获得纳米级信息使用 1 流的 Thermo Scientific Elstar 电子镜筒为任何经验水平的用户提供 Thermo Scientific SmartAlign 和 FLASH 技术支持。
| 新一代 UC+ 单色器技术凭借具有更高电流的新一代 UC+ 单色器技术，可以在低能量下实现亚纳米性能，从而显示最细致的细节信息。
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完整的样品信息可通过多达 6 个集成在色谱柱内和透镜下的集成检测器获得清晰、精确且无电荷的对比度。
| 3D 分析使用可选配的 Thermo Scientific Auto Slice & View 4 (AS&V4) 软件通过精确靶向目标区域而获得高质量、多模式的亚表面和 3D 信息。
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快速纳米原型设计对临界尺寸小于 10 nm 的复杂结构进行快速、准确、精确的铣削和沉积。
| 精确的样品导航在 150-mm 压电载物台的高稳定性和准确性或 110-mm 载物台的灵活性以及腔室内 Thermo Scientific Nav-Cam 摄像机的支持下根据具体应用需求进行定制。
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无伪影成像基于集成的样品清洁度管理和专用成像模式，例如 DCFI 和 SmartScan 模式。
| STEM 成像Thermo Scientific Helios 5 FX 的配置具有du特的原位 3Å 分辨率 STEM 功能，可提供高高效的工作流程。
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适用于半导体行业的 Helios 5 DualBeam 规格
| Helios 5 CX | Helios 5 HP | Helios 5 UX | Helios 5 HX | Helios 5 FX | ||
| 工作准备和 XHR SEM 成像 | 最终样品制备（TEM 片层、APT） | 埃米级 STEM 成像和样品制备 | ||||
| SEM | 分辨率 | 20 eV – 30 keV | 20 eV – 30 keV | |||
| 着陆能量 | 0.6 nm @ 15 keV 1.0 nm @ 1 keV | 0.6 nm @ 2 keV 0.7 nm @ 1 keV 1.0 nm @ 500 eV | ||||
| STEM | 分辨率 @ 30 keV | 0.7 nm | 0.6 nm | 0.3 nm | ||
| FIB 制备工艺 | 最大物料去除率 | 65 nA | 100 nA | 65 nA | ||
| 最佳最终抛光 | 2 kV | 500 V | ||||
| TEM 样品制备 | 样品厚度 | 50 nm | 15 nm | 7 nm | ||
| 自动化 | 否 | 是 | 是 | |||
| 样品处理 | 行程 | 110 x 110 x 65 mm | 110 x 110 x 65 mm | 150 x 150 x 10 mm | 100 x 100 x 20 mm | 100 x 100 x 20 mm + 5 轴 (S)TEM 计算机阶段 |
| 加载锁 | 手动快速加载器 | 自动 | 手动快速加载器 | 自动 | 自动 + 自动插入/拔出 STEM 杆 | |
用于材料科学的 Helios 5 DualBeam 的规格
| Helios 5 CX Helios 5 UC Helios 5 UX | ||||
| 离子光学系统 | 具有出色的高电流性能的 Tomahawk HT 离子柱 | 具有卓yue高电流和低电压性能的 Phoenix 离子镜筒 | ||
| 离子束电流范围 | 1 pA – 100 nA | 1 pA – 65 nA | ||
| 加速电压范围 | 500 V – 30 kV | 500 V – 30 kV | ||
| 最大水平射野宽度 | 在光束重合点处为 0.9 mm | 在光束重合点处为 0.7 mm | ||
| 最小离子源寿命 | 1,000 小时 | 1,000 小时 | ||
| 两级差速抽气 飞行时间 (TOF) 校正 15 位置光阑条 | 两级差速抽气 飞行时间 (TOF) 校正 15 位置光阑条 | |||
| 电子光学系统 | Elstar 超高分辨率场发射 SEM 镜筒 | Elstar 极gao分辨率场发射 SEM 镜筒 | ||
| 磁性浸没物镜 | 磁性浸没物镜 | |||
| 可提供稳定的高分辨率分析电流的高稳定性肖特基场发射枪 | 可提供稳定的高分辨率分析电流的高稳定性肖特基场发射枪 | |||
| 电子束分辨率 | 最佳工作距离 (WD) 下 | 30 kV (STEM) 时 0.6 nm 15 kV 时 0.6 nm 1 kV 时 1.0 nm 1 kV（射束减速*）时为 0.9 nm | 30 kV (STEM) 时 0.6 nm 1 kV 时 0.7 nm 500 V (ICD) 时 1.0 nm | |
| 重合点上 | 15 kV 时 0.6 nm 1 kV（射束减速*和 DBS*）时为 1.5 nm | 15 kV 时 0.6 nm 1 kV 时 1.2 nm | ||
| 电子束参数空间 | 电子束电流范围 | 0.8 pA 至 176 nA | 0.8 pA 至 100 nA | |
| 加速电压范围 | 200 V – 30 kV | 350 V – 30 kV | ||
| 着陆能量范围 | 20 eV – 30 keV | 20 eV – 30 keV | ||
| 最大水平射野宽度 | 4 mm WD 时 2.3 mm | 4 mm WD 时 2.3 mm | ||
| 检测器 | Elstar 镜筒内 SE/BSE 检测器（TLD-SE、TLD-BSE） | |||
| Elstar 色谱柱内 SE/BSE 检测器 (ICD)* | ||||
| Elstar 色谱柱内 BSE 检测器 (MD)* | ||||
| Everhart-Thornley SE 检测器 (ETD) | ||||
| 查看样品/色谱柱的 IR 摄像机 | ||||
| 用于二级离子 (SI) 和二级电子 (SE) 的高性能腔室内电子和离子检测器 (ICE)* | ||||
| 用于样品导航的 Thermo Scientific 腔室内 Nav-Cam 摄像机* | ||||
| 可伸缩、低电压、高对比度、定向、固态反向散射电子检测器 (DBS)* | ||||
| 带 BF/DF/HAADF 分段的可伸缩 STEM 3+ 检测器* | ||||
| 集成的等离子束电流测量 | ||||
| 载物台和样品 | 载物台 | 灵活的 5 轴电动载物台 | 高精度五轴电动载物台，配有压电驱动的 XYR 轴 | |
| XY 范围 | 110 mm | 150 mm | ||
| Z 范围 | 65 mm | 10 mm | ||
| 旋转 | 360°（无限） | 360°（无限） | ||
| 倾斜范围 | -15° 至 +90° | -10° 至 +60° | ||
| 最大样品高度 | 与共心点间距 85 mm | 与共心点间距 55 mm | ||
| 最大样品重量 | 500 g，任何载物台位置上 0° 倾斜下最高 5 千克（适用某些限制） | 500 g（包括样品架） | ||
| 最大样品尺寸 | 完quan旋转时 110 mm（也可以是更大的样品，但旋转有限） | 完quan旋转时 150 mm（也可以是更大的样品，但旋转有限） | ||
| 计算中心旋转和倾斜 | 计算中心旋转和倾斜 | |||
* 可选配，取决于配置
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采用电镜进行过程控制现代工业需求高通量、质量卓yue、通过 稳健的工艺控制维持平衡。SEM扫描电 镜和TEM透射电镜工具结合专用的自动 化软件，为过程监控和改进提供了快速、 多尺度的信息。
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质量控制和故障分析质量控制和保证对于现代工业至关重 要。我们提供一系列用于缺陷多尺度 和多模式分析的 EM电子显微镜和光 谱工具，使您可以为过程控制和改进 做出可靠、明智的决策。
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基础材料研究越来越小的规模研究新型材料，以最 大限度地控制其物理和化学特性。电 子显微镜为研究人员提供了对微米到 纳米级各种材料特性的重要见解。
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半导体探索和开发先进的电子显微镜、聚焦离子束和相 关半导体分析技术可用于识别制造高 性能半导体器件的可行解决方案和设 计方法。
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良率提升和计量我们为缺陷分析、计量学和工艺控制 提供先进的分析功能，旨在帮助提高 生产率并改善一系列半导体应用和设 备的产量。
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半导体故障分析越来越复杂的半导体器件结构导致更 多隐藏故障引起的缺陷的位置。我们 的新一代半导体分析工作流程可帮助 您定位和表征影响量产、性能和可靠 性的细微的电子问题。
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物理和化学表征持续的消费者需求推动了创建更小 型、更快和更便宜的电子设备。它 们的生产依赖高效的仪器和工作流 程，可对多种半导体和显示设备进 行电子显微镜成像、分析和表征。
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电源半导体设备分析电源设备让定位故障面临du特的挑 战，主要是由于电源设备结构和布 局。我们的电源设备分析工具和工 作流程可在工作条件下快速实现故 障定位并提供精确、高通量的分析， 以便表征材料、接口和设备结构。
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显示设备故障分析不断发展的显示技术旨在提高显示质 量和光转换效率，以支持不同行业领 域的应用，同时继续降低生产成本。 我们的过程计量、故障分析和研发解 决方案帮助显示公司解决这些挑战。
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