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Oxford RIE反应离子刻蚀机PlasmaPro 80
PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。
● 直开式设计允许快速装卸晶圆
● 出色的刻蚀控制和速率测定
● 出色的晶圆温度均匀性
● 晶圆最大可达200mm
● 购置成本低
● 符合半导体行业 S2 / S8标准
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应 用 ● III-V族材料刻蚀工艺 ● 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺 ● 类金刚石（DLC）沉积 ● 二氧化硅和石英刻蚀 ● 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆 ● 用于高亮度LED生产的硬掩模的刻蚀
系统特点 ● 小型系统 —— 易于安置 ● 优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制 ● 高导通的径向（轴对称）抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率 ● 增加<500毫秒的数据记录功能—— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录 ● 近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度 ● 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单 ● X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配 ● 通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快 ● 用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法来确定非透明材料（如金属）的边界 ● 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测 |
RIE of InP waveguide | |
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7 µm polyimide feature RIE | ||
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Sub µm Si mesa etch | ||
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Deep Si feature etch by ICP-RIE cryo process |
Failure analysis - fast metal layer exposure in the PlasmaPro FA ICP | |
PTIQ是针对PlasmaPro和Ionfab工艺系统而开发的最新智能软件解决方案。
● 对响应系统出色的控制水平
● 最da化系统性能与工艺性能
● 多级别软件配置以匹配用户需求
● 全新的视觉布局与设计界面
