EMMI半导体芯片检测微光显微镜 是利用高增益相机/探测器来检测由某些半导体器件缺陷/失效发出的微量光子的一种设备。

二、原理

微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是利用高增益相机/探测器来检测由某些半导体器件缺陷/失效发出的微量光子的一种设备。

当对样品施加适当电压时，其失效点会因加速载流子散射或电子-空穴对的复合而释放特定波长的光子。这些光子经过收集和图像处理后，就可以得到一张信号图。撤去对样品施加的电压后，再收集一张背景图，把信号图和背景图叠加之后，就可以定位发光点的位置，从而实现对失效点的定位。

InGaAs EMMI和传统EMMI具有相同的原理和功能。两种探测光子的传感器都是由电子-空穴复合和热载流子触发的。它们的不同之处在于InGaAs具有更高的灵敏度，并且可以检测更长的波长范围900-1700 nm（相对于 350-1100 nm 的传统EMMI），这与 IR（红外）的光谱波长相同。

三、仪器特点

（1）InGaAs采集相机，在近红外区域具备高灵敏度；

（2）分辨率高；

（3）多倍率图像采集：5X~100X；

（4）-70°C水冷降低暗电流带来的信噪；

（5）水冷/空气冷却自由转换。

EMMI半导体芯片检测微光显微镜

四、应用范围

（1）LED故障分析；

（2）太阳能电池评估；

（3）半导体失效分析；

（4）EL/PL图像采集；

（5）光通信设备分析。

侦测到亮点的情况：

会激发光子的缺陷：P-N接面漏电或崩溃、因开路或短路而误动作的电晶体、闩锁效应、闸极氧化层漏电、细丝残留的多晶硅、硅基底的损害、烧毁的元件假缺陷(正常操作即会激发光子)。

假缺陷(正常操作即会激发光子)：浮接状态的闸极、饱和区操作中的BJT或MOSFET、顺向偏压的二极体。

侦测不到光子的情形：

光激发位置被上方层次挡到、欧姆接触、埋入式的接面、大面积金属线底下的漏电位置、电阻性短路或桥接、金属连接短路(有时仍会被EMMI侦测到)、表面导通路径、硅导通路径、漏电过小(<0.1uA)。