红外后对准双面刻机

SPTS作为*的深硅刻蚀和牺牲层刻蚀设备的供应商，SPTS能够提供一系列的解决方案来满足客户的生产和开发要求。通过一系列的技术的开发，SPTS能为客户提供一系列的*的工艺，比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圆上的端封装（3D封装和芯片级封装）。

深硅刻蚀工艺的主要过程包括：

1） 钝化处理过程（C4F8等离子体）

一阶段：由C4F8产生CFn聚合物沉淀在所有的表面

2） 刻蚀过程（SF6等离子体）

第二阶段：由于离子体的定向运动，基面上的聚合物被去除的速度要比在侧壁的去除速度快。

第三阶段：暴露的硅表面就会被F系物刻蚀掉，SF6*提供等离子体，来实现高深宽比的刻蚀。

红外后对准双面刻机

深硅刻蚀的主要应用包括: MEMS，*封装（TSV）,功率器件等等。

SPTS提供一系列的设备来满足客户研发到生产不同的要求。包括ICP-SR/SRE系列，而Pegasus则是大量生产所使用的设备。

Pegasus是行业先的深槽刻蚀设备，可以提供理想的刻蚀速度，但同时保证侧面特征良好控制和一致性。通过利软件“boost and delay”和利 “parameter ramping” 以及绝缘硅技术实现了高性能的工艺控制。

parameter ramping技术：

实时调节工艺过程参数，以达到理想的侧面轮廓。