半导体SiC器件动态参数测试系统
半导体SiC器件动态参数测试系统

6500半导体SiC器件动态参数测试系统

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2024-01-03 16:16:59
118
属性:
价格区间:10万-30万;应用领域:化工,石油,能源,电子,电气;
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产品属性
价格区间
10万-30万
应用领域
化工,石油,能源,电子,电气
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武汉赛斯特精密仪器有限公司

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产品简介

具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点,实现 MOSFET、IGBT、DIODE功率器件动态参数的精确测试。

详细介绍

1.   设备功能概述

a)   测试机具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点,可实现SiC器件动态参数的精确测试。

b)   简洁的人机交互界面(计算机)可以满足测试人员对SiC器件测试条件的约束和测试完毕后相关参数的自动显示。

c)   系统母线电压闭环处理,自动调节为预期设定值。

d)   门极驱动电压-10V~20V可调(正电压与负电压绝对值差值必须大于5V)。

e)   主控系统由开关速度更高的IC 器件构成,大大提升了对采样的处理速度和测试精度。

f)   驱动信号采用光纤通讯,避免外来传导或辐射干扰对测试精度的影响。

g)   系统配置DUT 测试保护罩,此保护罩的开合状态与母线电压进行互锁,防止测试人员在母线带电的情况下就对DUT进行操作的危险行为发生。

h)   配置系统急停按钮,拍下此按钮断开系统主功率输入并且母线放电;放电时间<1S。

i)   为了进一步减小母线回路寄生参数对测试结果的影响,功率回路特殊设计。

j)   负载接口预留阻性和感性接口,根据需要,客户手动配置。


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