AP Tech 热离子发射阴极

在热离子状态下工作的阴极被加热到高温。当电子具有足够的热能来克服制造阴极的材料的功函数时，就会发生发射。

我们的热离子阴极由六硼化镧（LaB6）和六硼化铈（CeBix®）制成。LaB6和CeBix®都是低功函数材料，可生产相对高亮度的阴极，有适度的真空要求和较长的保质期。这些阴极在高达20A/cm2的电流密度下提供长期、稳定的操作，使其非常适合小光斑应用，如SEM、TEM、电子束灭菌、表面分析和计量，以及大电流应用，如x射线生成、光刻和增材制造。

AP Tech 热离子发射阴极

在APT，我们在内部种植和制造我们自己的高质量单晶LaB6和CeBix®，使用一种生产商业上最纯和功函数材料的工艺。经过精炼，我们的硼化物可以定制成各种形状，具有不同的加热、安装和底座配置，所有这些都是为了满足客户的操作和性能要求而设计的。

由于功函数LaB6略低，CeBix®阴极在略低的工作温度下产生更高的电流。因此，CeBix®光源的亮度略高，使用寿命更长。APT是世界上CeBix®阴极生产商。

我们还可以分别提供LaB6和CeBix®单晶棒和单晶盘。

热场发射器（TFE）像热离子发射器一样被加热，但也被电化学蚀刻以具有微观上尖锐的，类似于冷场发射器的方式。在操作过程中，由于发射器的锐度及其对抑制器的定向，在源会产生非常高的电场。场对势垒的降低和通过加热提供给电子的热能产生了能够在非交叉模式（或虚拟源模式）下操作的源。因此，与热离子发射器不同，TFE不受空间电荷限制，并且比典型的热离子源亮几个数量级。

APT现在提供锆化钨热场发射器（ZrOW-TFE），俗称肖特基源。ZrOW-TFE是电子束应用的行业标准发射器，要求高亮度、提高空间分辨率、稳定发射和长寿命。我们的ZrOW源符合通用OEM性能规范和操作参数，可以使用定制的末端形状（半径）几何形状和任何发射极-基极/抑制器配置制造，包括FEI/Philips、Denka、Hitachi、JEOL或定制配置。