与热离子和热场发射器不同，CFE在室温下工作。当电子响应于强电场的施加而发射时，就会发生场发射。为了实现这种高场，单晶钨被蚀刻到显微镜下锋利。CFE是非常高亮度的光源，因此在需要高电流密度和可以实现真空条件的应用中表现出色。
AP Tech离子源, 冷场发射器 溅射阴极
在APT，我们在内部种植和加工自己的单晶钨。我们的蚀刻工艺可以根据客户的要求进行定制，并受到严格控制，以确保质量和一致性。APT可以为CFE提供任何发射极-基极/抑制器配置，包括FEI/Philips、Denka、Hitachi、JEOL和自定义配置。
使用此图表可比较我们的 TE、CFE 和 TFE 离子源的一般操作要求和性能规格。
AP Tech 锆钨（ZrOW）热场发射器（TFE）原理
热场发射器（TFE）被加热，就像热离子发射器一样，但也被电化学蚀刻，具有微观上锋利，类似于冷场发射器的方式。在工作过程中，由于发射极的锐度及其对抑制器的定向，在源端产生了非常高的电场。电场对势垒的降低和通过加热提供给电子的热能产生了一个能够以非交叉模式（或虚拟源模式）工作的源。因此，与热离子发射器不同，tfe不受空间电荷限制，并且比典型的热离子源亮几个数量级。APT现在提供锆钨热场发射器（ZrOW TFE），俗称肖特基源。ZrOW TFE是电子束应用的行业标准发射器，需要高亮度，提高空间分辨率，稳定发射和长寿命。我们的ZrOW源满足一般OEM性能规格和操作参数，并且可以使用定制的端形（半径）几何形状和任何发射器底座/抑制器配置（包括FEI/Philips， Denka，日立，JEOL或定制配置）制造。