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●扫描光生电流的分布
●扫描光电压分布
●扫描开路电压和短路电流的分布
●分析表面污染
●分析短路区域的 分布
●识别和分析微裂纹区域
●分析少数载子扩散长度的分布（选用功能）
| 项目 | 参数说明。 |
|---|---|
| 功能 | A。利用能量高于半导体带隙的波长激光束在半导体中产生电子空穴对，探索耗尽区对内部电流变化的影响，了解和分析各种缺陷分布，作为工艺改进的方向。 b.能够扫描样品表面光生电流的分布。 C。能够扫描样品表面光电压的分布。 d.能够扫描开路电压和短路电流的分布。 e.能够分析表面污染。 F。能够分析短路区域的分布。 G。能够识别和分析微裂纹区域。 H。能够分析少数载流子扩散长度的分布（可选）。 |
| 激励源 | 405 ±10nm 激光 520 ±10nm 激光 635 ±10nm 激光 830 ±10nm 激光 |
| 扫描区域 | ≧100mm×100mm |
| 激光光斑尺寸 | 接近TEM00模式点 |
| 测绘分辨率 | A。扫描分辨率 ≤ 50 µm b.扫描分辨率可通过软件设置 |
| 测绘时间 | <4分钟（100mm×100mm，分辨率50um） |
| 方面 | 60厘米*60厘米*100厘米 |
| 软件 | A。 LBIC 3D 可视化 b． 2D 横截面分析（电极纵横比） c．光电流响应分布分析（与长波长激光源结合） d．数据保存和导出功能 |
