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Alphalas UPD超快光电探测器（800-2100nm，上升沿时间＜150ps，InGaAs；
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Alphalas UPD超快光电探测器（800-1700nm，上升沿时间＜15ps， InGaAs；
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Alphalas UPD超快光电探测器（800-1700nm ＜35ps上升沿时间 >10GH
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Alphalas UPD超快光电探测器（350-1700nm ＜35ps上升沿时间 InGaAs,抛
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Alphalas UPD超快光电探测器（350-1700nm ＜35ps上升沿时间 InGaAs,D
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350-1100nm硅基放大光电探测器，感光尺寸3.6×3.6mm，带宽范围DC～6.7M
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800-2200nm红外延伸铟镓砷放大光电探测器，响应时间常数35ns
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800-1800nm锗带偏压光电探测器，感光尺寸Φ5.0mm
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为FC/PC光纤座
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为窗片
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ10.0mm
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm
面议InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型)
InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。
线性模式参数
产品型号 | IGA-APD-GM104-R | |||||
参数 | 符号 | 单位 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 |
反向击穿电压 | VBR | V | 22℃±3℃ ，ID =10μA | 60 | 80 | 90 |
响应度 | Re | A/W | 22℃±3℃ ,λ =1550nm ，M =1 | 0.8 | 0.85 | |
暗电流 | ID | nA | 22℃±3℃ ，M =10 | 0.1 | 0.3 | |
电容 | C | pF | 22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz | 0.25 | ||
击穿电压温度 系数 | η | V/K | -40℃ ~80℃，ID =10μA | 0.15 | ||
盖革模式参数
参数 | 单位 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 |
单光子探测效 率PDE | % | -45℃ ，λ =1550nm， 0.1ph/pulse 泊松分布单光子源 | 20 | ||
暗计数率DCR | kHz | -45℃ ，1ns门宽， 2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20% |
20* | ||
后脉冲概率 APP | -45℃ ，1ns门宽， 2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20% |
1× 10-3 | |||
时间抖动Tj | ps | -45℃ ，1ns 门 宽 ，2MHz门控重频，PDE=20% | 100 | ||
* 可提供不同等级规格产品
InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型)
