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Alphalas UPD超快光电探测器(800-2100nm,上升沿时间<150ps,InGaAs;
面议Alphalas UPD超快光电探测器(800-1700nm,上升沿时间<15ps, InGaAs;
面议Alphalas UPD超快光电探测器(800-1700nm <35ps上升沿时间 >10GH
面议Alphalas UPD超快光电探测器(350-1700nm <35ps上升沿时间 InGaAs,抛
面议Alphalas UPD超快光电探测器(350-1700nm <35ps上升沿时间 InGaAs,D
面议350-1100nm硅基放大光电探测器,感光尺寸3.6×3.6mm,带宽范围DC~6.7M
面议800-2200nm红外延伸铟镓砷放大光电探测器,响应时间常数35ns
面议800-1800nm锗带偏压光电探测器,感光尺寸Φ5.0mm
面议800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器,输入耦合方式为FC/PC光纤座
面议800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器,输入耦合方式为窗片
面议800-1700nm铟镓砷放大光电探测器,感光尺寸Φ10.0mm
面议800-1700nm铟镓砷放大光电探测器,感光尺寸Φ1.0mm
面议应用领域:光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等
产品特点:正照射结构、灵敏度高、响应时间快、TO46 封装
特性参数 | 典型值 |
光敏面直径 | Φ 0.3 mm |
规模 | 单元 |
工作温度 | -20~ +60 ℃ |
储存温度 | -55~ +70 ℃ |
波段 | 1.0~2.6 um |
峰值波长 | 2.2 um |
峰值量子效率 | ≥70% |
峰值响应率 | ≥1.2 A/W |
器件阻抗 | 2×104Ω |
暗电流 | 5×10-7@-0.01V |
等效噪声功率 | 4×10-13 W/Hz1/2 |
峰值探测率 | 7×1010 cm.Hz1/2/W |
封装形式 | TO-46管壳 |
典型光谱响应曲线:
产品结构及尺寸: (单位 mm)
注意事项:
(1)产品使用过程中,需要防静电保护,操作人员应戴静电手环。
(2)产品在存贮、运输过程中,应放入防静电的泡沫中,并储存于防静电盒内。
(3)针脚插拔不能用力过大,针脚弯折不能沿根部弯折超过 45°,防止弯折造成玻璃珠开裂。
(4)产品需在断电后进行插拔操作。