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2-11um铟砷锑放大光电探测器
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高速光电探测器 InGaAs-1.5/3.6um-1G/250ps-S
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高速光电探测器 InGaAs-0.8/1.7um-20G/17ps-S
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高速光电探测器 Si-0.4/0.9um-10G/40ps-S
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Alphalas UPD超快光电探测器（800-2100nm，上升沿时间＜150ps，InGaAs；
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Alphalas UPD超快光电探测器（800-1700nm，上升沿时间＜15ps， InGaAs；
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Alphalas UPD超快光电探测器（800-1700nm ＜35ps上升沿时间 >10GH
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Alphalas UPD超快光电探测器（350-1700nm ＜35ps上升沿时间 InGaAs,抛
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Alphalas UPD超快光电探测器（350-1700nm ＜35ps上升沿时间 InGaAs,D
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350-1100nm硅基放大光电探测器，感光尺寸3.6×3.6mm，带宽范围DC～6.7M
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800-2200nm红外延伸铟镓砷放大光电探测器，响应时间常数35ns
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800-1800nm锗带偏压光电探测器，感光尺寸Φ5.0mm
面议灵敏度波长范围为800nm ~2600nm 的MTPD260T8-300是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列， 非常适合于光通信设备。客户可以定制封装形式。
高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39封装,高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39封装特点
响应速度快
TO-39封装
有效面积3.0mmФ/高灵敏度
光谱范围800nm-2600nm
应用
高速光通信
工业控制
分析气体/水
激光测距
医疗
绝对最大额定参数 (Ta=25ºC)
| 参数 | 符号 | 主要指标 | 单位 |
有效光敏面直径 | Ф | 3.0 | mm |
工作温度范围 | Topr | 40 to +85 | ºC |
储存温度范围 | Tstg | 40 to +125 | ºC |
光电参数 (Ta = 25ºC) | ||||||
参数 | 符号 | 条件 | MIN | 典型值 | MAX | 单位 |
击穿电压 | VR | IR=10uA | -- | -- | 1 | V |
灵敏度范围 | λ | VR=0V | 800 | -- | 2600 | nm |
暗电流 | ID | VR=0V | -- | 80 | -- | nA |
暗电流 | ID | VR=1V | -- | 770 | -- | uA |
响应度 | R | λ=2400nm | -- | 1.24 | -- | A/W |
分流电阻 Shunt Resistance | RS | VR=10mV | -- | 0.5 | -- | kOhm |
量子效率 | QE | λ=1840nm | -- | 72 | -- | % |
电容 | C | VR =0V | -- | 3100 | -- | pF |
电容 | C | VR =1V | -- | 500 | -- | pF |
封装尺寸
单位: mm, 误差: ±0.2
光谱响应曲线
量子效率曲线
