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目录:筱晓(上海)光子技术有限公司>>光电探测器>>InGaAs铟镓砷光电二极管>> 高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39封装

高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39封装
  • 高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39封装
参考价 面议
具体成交价以合同协议为准
参考价 面议
具体成交价以合同协议为准
  • 品牌 其他品牌
  • 型号
  • 厂商性质 经销商
  • 所在地 上海市
属性

$NV_PropertyInfoName.SubString(0,25)

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更新时间:2024-12-07 16:08:30浏览次数:1254评价

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产地类别 进口 价格区间 面议
应用领域 化工,建材,电子 组成要素 半导体激光器产品及设备
高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nm TO-39封装
总览

灵敏度波长范围为800nm ~2600nm 的MTPD260T8-300是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列, 非常适合于光通信设备。客户可以定制封装形式。

高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39封装,高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39封装
通用参数

特点

响应速度快

TO-39封装

有效面积3.0mmФ/高灵敏度

光谱范围800nm-2600nm


应用

高速光通信

工业控制

分析气体/水

激光测距

医疗


绝对最大额定参数 (Ta=25ºC)

参数符号主要指标单位

有效光敏面直径

Ф

3.0mm

工作温度范围

Topr

40 to +85

ºC

储存温度范围

Tstg

40 to +125

ºC



光电参数 (Ta = 25ºC)

参数

符号

条件

MIN

典型值

MAX

单位

击穿电压

VR

IR=10uA

--

--

1

V

灵敏度范围

λ

VR=0V

800

--

2600

nm

暗电流

ID

VR=0V

--

80

--

nA

暗电流

ID

VR=1V

--

770

--

uA

响应度

R

λ=2400nm

--

1.24

--

A/W

分流电阻

Shunt Resistance

RS

VR=10mV

--

0.5

--

kOhm

量子效率

QE

λ=1840nm

--

72

--

%

电容

C

VR =0V

--

3100

--

pF

电容

C

VR =1V

--

500

--

pF



封装尺寸



单位: mm, 误差: ±0.2


光谱响应曲线


量子效率曲线




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