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Alphalas UPD超快光电探测器（800-2100nm，上升沿时间＜150ps，InGaAs；
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Alphalas UPD超快光电探测器（800-1700nm，上升沿时间＜15ps， InGaAs；
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Alphalas UPD超快光电探测器（800-1700nm ＜35ps上升沿时间 >10GH
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Alphalas UPD超快光电探测器（350-1700nm ＜35ps上升沿时间 InGaAs,抛
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Alphalas UPD超快光电探测器（350-1700nm ＜35ps上升沿时间 InGaAs,D
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350-1100nm硅基放大光电探测器，感光尺寸3.6×3.6mm，带宽范围DC～6.7M
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800-2200nm红外延伸铟镓砷放大光电探测器，响应时间常数35ns
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800-1800nm锗带偏压光电探测器，感光尺寸Φ5.0mm
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为FC/PC光纤座
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为窗片
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ10.0mm
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm
面议铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP2000/2.2
2.2um扩展型InGaAs光电二极管响应截止波长达到2.2um,提供了出色的分流电阻，并在带宽范围内具有出色的响应度。
产品特点：
有效直径2mm,3 mm可选
扩展的截止波长2.2μm
高分流电阻
封装形式TO-5
产品应用：
气体检测
碳氢化合物传感
红外光谱
光谱学
SWIR光电探测
技术参数：
电学参数@ 23 ºC ± 2 ºC
参数 | GAP2000/2.2 | GAP3000/2.2 | 单位 |
有效直径 | 2 | 3 | mm |
峰值波长（典型） | 2.0 ± 0.1 | 2.0 ± 0.1 | um |
截止波长 (50%) | 2.2 ± 0.1 | 2.2 ± 0.1 | µm |
响应度@ λP(min/typ) | 0.9/1.0 | 0.9/1.0 | A/W |
分流电阻 (min/typ) | 6k/10k | 2k/6k | Ω |
暗电流(max) | 40 @ 1 V | 100 @ 1 V | µA |
电容 (typ) @ 0 V | 4000 | 8000 | pF |
带宽 w/ 50 Ω @ 0 V (typ) | 0.795 | 0.397 | MHz |
上升时间 w/ 50 Ω @ 0 V (typ) | 440 | 881 | ns |
NEP @ λPEAK (typ) | 128 x 10-14 | 287 x 10-14 | W/Hz1/2 |
线性度 (± 0.2 dB @ 0 V) | 6 | 6 | dBm |
封装 | TO-5 | TO-5 |
最大参数
参数 | GAP2000/2.2 | GAP3000/2.2 | 单位 |
存储温度 | -40 to 125 | -40 to 125 | ℃ |
工作温度 | -40 to 85 | -40 to 85 | ℃ |
反向电压 | 1 | 1 | V |
反向电流 | 10 | 10 | mA |
正向电流 | 10 | 10 | mA |
功耗 | 50 | 50 | mW |
波长响应曲线
铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP2000/2.2
