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广州金程科学仪器公司供应的RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特 别适合于大学、科研院所，微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及 复杂的几何构形进行 RIE反应离子刻蚀。具体包括：
◆ 介 电 材 料 (SiO2、SiNx等)
◆ 硅基材料 (Si,a-Si,poly Si)
◆III-V材料 (GaAs、InP、GaN 等)
◆ 溅射金属 (Au、Pt、Ti、Ta、W等)
◆ 类金刚石 (DLC)
等离子刻蚀机原理：
等离子蚀刻，也称为干法蚀刻，等离子刻蚀机 是一种利用等离子体对半导体材料进行刻蚀加工的 设备，是半导体制造过程中不ke或缺的设备之一。 利用等离子体作为蚀刻介质，通过控制射频功率、 气体流量、压力、蚀刻气体种类、处理时间、平台 温度等工艺参数，选择性地移除沉积层特定部分的 材料，将图案蚀刻到基材上的过程。
应用领域：主要用于微电子芯片、太阳能电池、生物芯片、显示器、光学、通讯等领域的器件研发和制造。
仪器特点：
◆ 7寸彩色触摸屏中英文互动操作界面，自动控制监测工艺参数状态，20个配方程序，工艺数据可存储追溯。
◆ PLC 工控机控制整个清洗过程，手动、自动两种工作模式。
◆ 真空舱体、全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。
◆ 采用防腐数字流量计，实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，可输入氧气、氩气、 氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。
◆ 采用花洒式多孔进气方式，改变单孔进气不均匀问题。
◆ HEPA 高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。
◆ 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。
◆ 采用顶置真空舱，上开盖设计，下压式铰链开关方式。
◆ 上置式360度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。
◆ 有效处理面积大，可处理最大直径154mm 晶元硅片。
◆ 安全保护，舱门打开，自动关闭电源，机器运行、停止提示。
技术参数
型号 | RIE200 | RIE200plus |
舱体内尺寸 | H38xφ260mm | H38xφ260mm |
舱体容积 | 2L | 2L |
射频电源 | 40KHz | 13.56MHz |
电极 | 不锈钢气浴RIE电极，φ200mm | 不锈钢气浴RIE电极，φ200mm |
匹配器 | 自动匹配 | 自动匹配 |
刻蚀方式 | RIE | RIE |
射频功率 | 0-600W可调(可选0-1000W) | 0-300W可调(可选0-600W) |
气体控制 | 质量流量计(MFC) (标配双路，可选多路)流量范围0-500SCCM(可调) | |
工艺气体 | Ar、N₂ 、O₂ 、H₂ 、CF4、CF4+H2、CHF3或其他混合气体等(可选) | |
最大处理尺寸 | φ154mm | |
产品尺寸 | L520xW600xH420mm | |
包装尺寸 | L700xW580xH490mm | |
时间设定 | 9999秒 | |
真空泵 | 抽速约8m³/h | |
气体稳定时间 | 1分钟 | |
极限真空 | ≤1Pa | |
电源 | AC220V 50-60Hz,802(1202)502(802)W所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。 | |
整机重量 | 38kg | |
备注： 可选：1、冷却循环水器：温度控制范围-20-100℃;2、分子泵：分子泵抽速85L/s(N2) 极 限 真 空 ：LF<8*10-
6Pa,CF<8*10-7Pa。
RIE反应离子刻蚀机信息由广州金程科学仪器有限公司为您提供。
