有掩膜光刻机

MA12有掩膜光刻机

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2024-09-06 14:10:06
1051
属性:
特征尺寸:优于0.5微米;基片尺寸:满足4、6、8、12英寸;
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产品属性
特征尺寸
优于0.5微米
基片尺寸
满足4、6、8、12英寸
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深圳市矢量科学仪器有限公司

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产品简介

1.手动、半自动、全自动有掩膜光刻机
2.高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米
3.基片尺寸可满足4、6、8、12英寸
4.经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟
5.设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻

详细介绍

1.产品概述:

MA12是专为对准和曝光300毫米以下方形衬底和晶圆而设计的,适合于工业研究和生产。凭借灵活处理和过程控制解决方案,本设备主要用于先进封装,包括3D圆晶级芯片尺寸封装, 以及开发和生产敏感元件,如MEMS。。

2.产品优点

一个涵盖微观到纳米压印的工具

能够可靠地处理弯曲晶圆片和敏感材料

高的光均匀性

强大的工艺控制

增强的SUSS调平系统

占地面积小,增强了人机工程学特性

3.产品工艺

顶面对准:在光刻工艺中,只需对准器件晶圆同侧的结构(例如再布线层、微凸点 等),用顶部对准功能将掩模位置标记对准晶圆位置标记。 根据衬底的特性,这可以用存储的晶圆位置数据或者用两个现场照片 SUSS MicroTec 开发的DirectAlign™ 直接对准技术实现。

背面对准:应用微电子机械系统(MEMS)、圆晶级封装和三维集成的工艺,例如在接板上制造垂直通孔 (TSV),需要与正面结构对准的晶圆背面结构。 此时常使用光学背面对准。 集成摄像机系统采集掩模结构和晶片背面结构并将它们相互对准。 由于晶圆在装载掩模靶后被覆盖,必须预先确定并存储其位置。 这对整个对准系统提出了特殊的要求。

提高对准精度:当对套刻精度有较高要求时,大大提升标准系统的自动对准功能。DirectAlign®,SÜSS MicroTecs 图像识别软件附加功能,放弃图片存储系统中的结构图文件,取而代之的是访问实况图。结构识别基于工业标准 PatMax 且取得了优异成绩。因此,在 SUSS 掩模对准器上用 Direct Align® 进行顶面对准时对准精度可达到 0.5 微米。

晶圆和掩模辅助装片:操作者辅助的系统,与人工晶圆把持的优势相结合,保持了高度的工艺可控与可靠性。


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