RZJ-304 光刻胶是由苏州瑞红生产的正性光刻胶，以下是其详细介绍：
成分
主要由丙二醇甲醚醋酸酯、甲酚 - 甲醛酚醛树脂（CAS-NO.9016-83-5，浓度 21%）、6 - 重氮 - 5,6 - 二氢 - 5 - 氧代 - 1 - 萘磺酸与 2,3,4 - 三羟基二苯甲酮的酯化物（CAS-NO.68510-93-0，浓度 6%）等成分组成.
性能特点
光刻精度较高：能够实现较为精细的光刻图案，线条宽度和间距可以达到较小的尺寸，适用于对光刻精度要求较高的微纳加工工艺，如集成电路制造、微机电系统（MEMS）加工等领域.
分辨率良好：具备较好的分辨率，能够清晰地将掩模版上的图形转移到基底上，对于复杂的图形结构也能够较好地呈现，有助于制造出具有高精度和高性能的微纳器件.
工艺适应性强：可以适应多种光刻工艺条件，如不同的曝光能量、显影时间等。在一定的工艺参数范围内，都能够获得稳定可靠的光刻效果，这使得它在不同的生产环境和工艺要求下都具有较好的应用灵活性.
与基底结合力较好：与常见的半导体基底材料，如硅片等，具有良好的粘附性，能够牢固地附着在基底表面，在光刻过程中不易出现光刻胶脱落或剥离的现象，从而保证了光刻图案的完整性和准确性。
技术参数
粘度：有 25mpa・s 和 50mpa・s 两种规格可选.
配用显影液：RZX-3038.
推荐工艺条件
涂布：温度 23℃，采用旋转涂布的方式，可获得 1.0～3.5μm 的膜厚。
前烘：在热板上 100℃条件下烘烤 90 秒。
曝光：曝光能量为 50～75mj/cm²。
显影：在 23℃下，使用 RZX-3038 显影液，显影时间 1 分钟，可采用喷淋或浸渍的方式。
清洗：用去离子水清洗 30 秒。
后烘：在热板上 120℃条件下烘烤 120 秒 。