光刻工艺：对准与曝光介绍
01引言
Introduction
在科技的海洋中，光刻工艺犹如一颗璀璨的明星，以其魅力吸引着众多科技爱好者的目光。今天，就让我们一起走进托托科技系列推文，轻松掌握光刻工艺中的对准与曝光部分，感受科技与艺术的融合。
02光刻工艺：半导体制造的基石
Photolithography: The Cornerstone of Semiconductor Manufacturing
光刻工艺，作为半导体制造过程中的核心步骤，对于芯片的性能和可靠性具有至关重要的影响。简单来说，光刻工艺就是将预设的图形转移到半导体材料上，为后续加工提供精确的模板。而在这个过程中，对准与曝光则是至关重要的两个环节。
曝光方式分类：根据光源类型、曝光方式等，可分为多种类型。如掩膜对准式曝光、步进投影式曝光、激光直写、电子束直写等。
掩膜对准式曝光：需要掩膜版，1:1关系，接触式和接近式；
步进投影式曝光：需要掩膜版，有投影系统，按一定比例将图形曝光在光刻胶上；
激光直写：利用激光束扫描和DMD技术来获得图形，无需掩膜版；
电子束直写：电子束光源，曝光过程采用失量或者栅线扫描获得图形，无需掩膜版，通常分为高斯束和变形束。
非接触接近式，无掩膜曝光系统
托托科技无掩膜光刻机经由所选图形产生二进制信号，进而控制微反射镜的偏转角度，使得光线的空间分布与待光刻图形一致。经反射镜投影物镜到内，最终照射到光刻胶衬底。无掩膜版紫外光刻机与传统光刻机相比，节约了制版的时间和费用，提高了图形设计的自由度，更值得一提的是，托托科技特别为研究二维材料性能的客户开放了直接绘制电极的功能，即通过交互式绿光虚拟套刻技术，让材料电极图形绘制和对准变得更加简单和精准。
在光刻工艺中，对准与曝光不仅是技术的体现，更是与科学的结合。通过精确的对准和曝光技术，我们可以将预设的图形转移到半导体材料上，为后续加工提供精确的模板。这种技术与科学的结合，不仅提高了半导体制造的效率和质量，还为科研带来了无尽的想象空间和探索乐趣。
