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NB5000 聚焦离子束 电子束装置
- 型号
- NB5000
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日立高新技术集团的企业理念是“以成为先端技术领域里提供高科技解决方案的*为目标”。在这个理念的指引下，将电子装置系统、生命科学系统、信息电子系统、*产业材料系统等各个事业部门的“先端技术”推向世界的Z前线。
为了应对日新月异的技术革新和需求的多样化，达成事业的化，日立高新技术集团同时具有用先端技术开发制造新产品的制造功能和向提供优化解决方案的贸易公司机能，是一家在先端科技领域里向*更快、更好地提供产品和服务的性企业。
日立高新技术集团Z重视的是在中国地区的事业战略。我们在上海、北京、深圳、香港设立了独资公司，这些地方分公司在中国的11个地区设有销售和技术服务网点。同时在苏州和大连还设有生产基地。日立高新技术集团不但支持中国电子产业和高科技产业发展的半导体制造，而且提供各种解析设备，LCD制造和检查设备，芯片贴装设备等。在保障人民安全和健康的科学医疗领域，还提供各种解析、分析仪器及应用相关系统等*开发产品和相应的优质且完善的售后服务。此外，日立高新技术集团从中国各地向*提供支持电子、高科技、汽车产业、环境和节能技术的各种新功能材料的采购解决方案，通过灵活利用网络和其贸易公司功能，实现创造附加价值的事业模式。
日立高新技术中国实业集团作为被大家所信赖的企业，在遵纪守法的同时，力争创造新的价值，以“客户*位为根本”开展工作，探求持续性发展，通过营销活动为中国的高科技产业、环境及能源事业、社会基础设施的安全、人民健康等方面的发展，不断地做着积极的贡献。衷心希望今后也能够继续得到大家的支持和厚爱。
详细信息
聚焦离子束 电子束装置NB5000 Features |
Ultra-high performance FIB
- Low CsFIB optics（*2） deliver 50nA or more of beam current （@40kV） in an about 1µm spot-size. The high current enables unconventional large-area milling, hard material fabrication and high throughput multiple specimen preparation.
New Micro-sampling
- Hitachi's patented Micro-sampling technology provides smooth probe motion. Also, the probe can be used for newly developed absorbed current imaging（*1） to aid fault isolation.
High precision end-point detection
- High resolution SEM allows high precision end-point detection. Section-view function, which displays an outline of the cross-section utilizing the real-time FIB image, is ideal for preparing electron irradiation sensitive specimens like low-K material.
High resolution SEM
- Hitachi's unparalleled SEM column and detector design（*2） enables high resolution SEM imaging during and after FIB fabrication.
Holder compatibility with TEM/STEM（*1）（*2）
- A side entry STEM/TEM-type staqe（*1） allows the use of the same specimen holder （compatible with NB5000 and Hitachi TEM/STEM）. No tweezer handling of specimen during transfer results in higher throughput TEM/STEM analysis.
（*1）:Optional accessory
（*2）:Hitachi patent
Low Cs FIB optics: patent pending, Micro-sampling: JP2774884/US5270552, Section-view function: patent pending, SEM column and detector design: JP3081393/US5387793, Holder compatibility: JP2842083
聚焦离子束 电子束装置NB5000 Specifications
| FIB | Accelerating voltage | 1 - 40kV | |
| Beam current | 50 nA or more @ 40kV （CP） | ||
| SIM resolution | 5nm @ 40kV （CP） | ||
| Magnification | ×60 - ×250,000 | ||
| Ion source | Ga Liquid Metal Ion Source | ||
| Lens system | Low Cs 2-stage electrostatic lens system | ||
| SEM | Accelerating voltage | 0.5 - 30kV | |
| SEM resolution | 1.0nm @ 15kV （CP） | ||
| Magnification | High Mag mode | ×250 - ×800,000 | |
| Low Mag mode | ×70 - ×2,000 | ||
| Electron source | ZrO/W Schottky emission | ||
| Lens system | 3-stage electromagnetic lens reduction system | ||
| Signal selection | SEM | Upper SE, Lower SE, Absorbed current（*1） | |
| FIB | Lower SE, Absorbed current（*1） | ||
| Eucentric stage | Traverse range | X: 50mm （30mm（*2））, Y: 50mm （30mm（*2））, Z: 22mm | |
| T: -1.5 - 58.3°, R: 360° | |||
| Sample size | Maximum diameter | Φ50mm （Φ30mm（*2）） | |
| Deposition | Material | Tungsten/Carbon （changeable） | |
| Micro-sampling | Probe exchange | Load lock type | |
| Additional function | Touch sensing, Absorbed current imaging（*1） | ||
CP:Beam Cross Point
（*1）:Optional accessory
（*2）:When side entry stage is ordered
