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NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀

型号
参数
产地类别:进口 应用领域:医疗卫生,化工,生物产业,电子,制药
那诺中国有限公司

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ALD,PECVD,RIE,磁控溅射,热蒸镀,电子束,离子束,晶圆清洗机,PA-MOCVD,飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)


那诺中国有限公司专注于为大中华区域(包括中国大陆、香港、澳门和中国台湾)的高校、科研院所、企业研发与生产等企业机构提供高性能、高性价比、定制化的薄膜工艺加工设备及科学分析检测仪器。


那诺中国提供美国那诺-马斯特薄膜工艺加工设备(包含磁控溅射、热蒸镀、电子束、PECVD、ALD、PA-MOCVD、RIE、离子束、DRIE、晶圆兆声清洗机等)。


那诺中国提供英国KORE基于飞行时间的质谱仪,包含飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)、质子转移反应(PTR)质谱仪、电子轰击电离(EI)质谱仪等。





详细信息

IBE离子束刻蚀系统

NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀产品概述:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。

NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时,旋转晶圆片以达到想要的均匀度。

NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀产品特点:

  • 14.5”不锈钢立体离子束腔体
  • 16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板
  • 离子束中和器
  • 氩气MFC
  • 6”水冷样品台
  • 晶片旋转速度310RPM,真空步进电机
  • 步进电机控制晶圆片倾斜
  • 自动上下载晶圆片
  • 典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅:500 ?/min
  • 6”范围内,刻蚀均匀度+/-3%
  • 极限真空5x10-7Torr20分钟内可达到10-6Torr级别(配套500 l/s涡轮分子泵)
  • 配套1000 l/s涡轮分子泵,极限真空可达8x10-8Torr
  • 磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化
  • 基于LabView软件的PC计算机全自动控制
  • 菜单驱动,4级密码访问保护
  • 完整的安全联锁

 

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产品参数

产地类别 进口
应用领域 医疗卫生,化工,生物产业,电子,制药
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