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NIE-4000 IBE离子束刻蚀机

型号
参数
产地类别:进口 应用领域:医疗卫生,化工,生物产业,电子,制药
那诺中国有限公司

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ALD,PECVD,RIE,磁控溅射,热蒸镀,电子束,离子束,晶圆清洗机,PA-MOCVD,飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)


那诺中国有限公司专注于为大中华区域(包括中国大陆、香港、澳门和中国台湾)的高校、科研院所、企业研发与生产等企业机构提供高性能、高性价比、定制化的薄膜工艺加工设备及科学分析检测仪器。


那诺中国提供美国那诺-马斯特薄膜工艺加工设备(包含磁控溅射、热蒸镀、电子束、PECVD、ALD、PA-MOCVD、RIE、离子束、DRIE、晶圆兆声清洗机等)。


那诺中国提供英国KORE基于飞行时间的质谱仪,包含飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)、质子转移反应(PTR)质谱仪、电子轰击电离(EI)质谱仪等。





详细信息

NIE-4000 IBE离子束刻蚀机概述:

如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。样品表面通常采用厚胶作为掩模,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。NANO-MASTER技术可以把基片温度控制在50℃以内,以便消除热量及后续的光刻胶剥离,同时支持

晶圆旋转以达到想要的均匀度。

该系统为计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统,具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。


NIE-4000 IBE离子束刻蚀机特点:

  • 14.5"不锈钢立体离子束腔体

  • 16cm DC离子枪1000eV,500mA, 气动不锈钢遮板

  • 离子束中和器

  • 氩气MFC

  • 6"水冷样品台

  • 晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机

  • 步进电机控制晶圆片倾斜

  • 手动或自动上下载晶圆片

  • 典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅:500 ?/min

  • 6"范围内,刻蚀均匀度+/-3%

  • 极限真空5x10-7Torr,20分钟内可达到10-6Torr级别(配套500 l/s涡轮分子泵)

  • 配套1000 l/s涡轮分子泵,极限真空可达8x10-8Torr

  • 磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化

  • 基于LabView软件的PC计算机全自动控制

  • 菜单驱动,4级密码访问保护

  • 完整的安全联锁



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产品参数

产地类别 进口
应用领域 医疗卫生,化工,生物产业,电子,制药
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