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NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀
该企业相似产品
ALD，PECVD，RIE，磁控溅射，热蒸镀，电子束，离子束，晶圆清洗机，PA-MOCVD，飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）
那诺中国有限公司专注于为大中华区域（包括中国大陆、香港、澳门和中国台湾）的高校、科研院所、企业研发与生产等企业机构提供高性能、高性价比、定制化的薄膜工艺加工设备及科学分析检测仪器。
那诺中国提供美国那诺-马斯特薄膜工艺加工设备（包含磁控溅射、热蒸镀、电子束、PECVD、ALD、PA-MOCVD、RIE、离子束、DRIE、晶圆兆声清洗机等）。
那诺中国提供英国KORE基于飞行时间的质谱仪，包含飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）、质子转移反应（PTR）质谱仪、电子轰击电离（EI）质谱仪等。
详细信息
IBE离子束刻蚀系统
NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。
NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时，旋转晶圆片以达到想要的均匀度。
NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品特点：
- 14.5”不锈钢立体离子束腔体
- 16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板
- 离子束中和器
- 氩气MFC
- 6”水冷样品台
- 晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机
- 步进电机控制晶圆片倾斜
- 手动上下载晶圆片
- 典型刻蚀速率：铜200 ?/min, 硅：500 ?/min
- 6”范围内，刻蚀均匀度+/-3%
- 极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）
- 配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr
- 磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化
- 基于LabView软件的PC计算机全自动控制
- 菜单驱动，4级密码访问保护
- 完整的安全联锁
