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ALD-4000 ALD/原子层沉积系统

型号
ALD-4000

该企业相似产品

AT-400 原子层沉积

在线询价
等离子清洗机,均胶机,薄膜沉积,刻蚀

First-Nano System GmbH 

  • 2003年          创立于德国德累斯顿工业大学(Dresden University of Technology)

  • 2008年          香港成立德国韦氏纳米系统(香港)有限公司   

  • 2015年          上海成立德国韦氏纳米系统(香港)有限公司中国代表处,负责中国区业务

  • 2018年          深圳正式成立韦氏纳米系统(深圳)有限公司,更好的为中国南方区市场

     

德国韦氏纳米系统成立以来,一直为客户想的更多,Thinking more !!!

 

产品范围:

薄膜沉积/Thin Film Deposition 
E-Beam and Thermal Evaporation, PECVD, PLD, DLC, DC & RF Sputtering, Ion Beam Sputtering
刻蚀/Etching
RIE, DRIE, ICP, Ion Beam Milling, RIBE, Plasma, ALE
薄膜制程/Growth
ALD, PA-MOCVD, CNT, Graphene
表面处理/Surface Treatment
Ion Beam, PIII, Plasma Cleaner, RTP
清洗/Cleaning
- Dry: Ion Beam, Plasma Cleaner
- Wet: Megasonic, 杜邦EKC清洗液
其他/Other,
Device Testing System for Space Simulation, Heated Platens, Plasma Sources, Resist Stripping Systems

详细信息

原子层沉积技术

原子层沉积系统原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

原子层沉积系统应用

  • 高介电薄膜

  • 疏水涂层

  • 钝化层

  • 深硅刻蚀铜互连阻挡层薄膜

  • 微流控台阶涂层

  • 用于催化剂层的单金属涂层的燃料电池

ALD-4000原子层沉积系统特点:

  • 独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统

  • Labview软件,具备四级密码控制的用户*保护功能

  • 安全互锁设计,强大的灵活性,可以用于沉积多种薄膜(如:AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等)

  • 12”的铝质反应腔体,带有加热腔壁和气动升降顶盖

  • 最多750ml的加热汽缸,用于前驱体以及反应物,同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀

ALD-4000原子层沉积系统选配项:

  • NLD-4000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)

  • ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)

  • 臭氧发生器

    等等客户定制选项

 

案例:6”晶圆片上的均匀性数据

 

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