起订量:
ALD-4000 ALD/原子层沉积系统
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代理商First-Nano System GmbH
2003年 创立于德国德累斯顿工业大学(Dresden University of Technology)
2008年 香港成立德国韦氏纳米系统(香港)有限公司
2015年 上海成立德国韦氏纳米系统(香港)有限公司中国代表处,负责中国区业务
2018年 深圳正式成立韦氏纳米系统(深圳)有限公司,更好的为中国南方区市场
德国韦氏纳米系统成立以来,一直为客户想的更多,Thinking more !!!
产品范围:
薄膜沉积/Thin Film Deposition
E-Beam and Thermal Evaporation, PECVD, PLD, DLC, DC & RF Sputtering, Ion Beam Sputtering
刻蚀/Etching
RIE, DRIE, ICP, Ion Beam Milling, RIBE, Plasma, ALE
薄膜制程/Growth
ALD, PA-MOCVD, CNT, Graphene
表面处理/Surface Treatment
Ion Beam, PIII, Plasma Cleaner, RTP
清洗/Cleaning
- Dry: Ion Beam, Plasma Cleaner
- Wet: Megasonic, 杜邦EKC清洗液
其他/Other,
Device Testing System for Space Simulation, Heated Platens, Plasma Sources, Resist Stripping Systems
原子层沉积技术
原子层沉积系统:原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
原子层沉积系统应用:
高介电薄膜
疏水涂层
钝化层
深硅刻蚀铜互连阻挡层薄膜
微流控台阶涂层
用于催化剂层的单金属涂层的燃料电池
ALD-4000原子层沉积系统特点:
独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统
Labview软件,具备四级密码控制的用户*保护功能
安全互锁设计,强大的灵活性,可以用于沉积多种薄膜(如:AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等)
12”的铝质反应腔体,带有加热腔壁和气动升降顶盖
最多7个50ml的加热汽缸,用于前驱体以及反应物,同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀
ALD-4000原子层沉积系统选配项:
NLD-4000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)
ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)
臭氧发生器
等等客户定制选项
案例:6”晶圆片上的均匀性数据